以AlGaN材料為基礎的固態紫外（UV）光源，是氮化物光電子發展的重要方向和熱點領域，以紫外發光二極管（UV-LED）為代表，AlGaN基固態紫外光源在紫外固化、生物醫療、以及殺菌消毒等方面具有重要價值。

2024年11月18-21日，第十屆國際第三代半導體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進半導體技術應用創新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。?本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）(NCTIAS)、江蘇第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

除了重量級開幕大會，論壇設有五大熱點主題技術分會，以及多場產業峰會和先進半導體技術應用創新展，全面聚焦半導體照明及第三代半導體熱門領域技術前沿及應用進展。目前，“氮化物半導體固態紫外技術及應用分會”最新報告日程正式出爐。組委會特邀請廈門大學特聘教授康俊勇、中國科學院寬禁帶半導體研發中心主任、研究員王軍喜共同主持分會。

屆時，將有日本三重大學教授三宅秀人，南京大學電子科學與工程學院教授陸海，中國科學院半導體研究所研究員閆建昌，廈門大學副教授尹君，北京大學物理學院長江特聘教授許福軍，中國科學技術大學教授孫海定，南京大學助理教授蔡青，麻省光子技術（香港）有限公司研究科學家Muhammad Shafa，鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF，中國科學院半導體研究所吳涵等多位來自國內外科研院校知名專家及實力派企業代表參與，共同探討氮化物半導體固態紫外技術及應用的前沿發展趨勢及最新動向，敬請關注！?

部分嘉賓簡介

陸海

南京大學電子科學與工程學院教授

陸海，南京大學教授，博士生導師，國家杰出青年科學基金獲得者，國家重點研發計劃項目首席科學家。主要從事寬禁帶半導體材料和器件研究，取得了多項有國際影響力的成果：制備了世界上電學特性最好的InN單晶薄膜（保持6年世界紀錄），首先生長出p型、a面及立方相等新型InN材料，為三十余家國際權威研究機構提供了標準InN及富In氮化物樣品；聯合改寫和修正了多項III族氮化物半導體材料體系的基本參數，包括InN 0.7eV窄禁帶寬度的重大發現，藉此將Ⅲ族氮化物半導體的應用領域推廣到近紅外光學波段，大大拓寬了Ⅲ族氮化物半導體的研究與應用范疇；首先發現InN表面強電荷聚集效應，藉此研制出InN表面化學傳感器、InN THz發射源，獲《Nature》雜志專文報道；聯合提出InGaN全光譜多異質結太陽能電池的概念和結構。

近年來重點開展GaN基高功率電子器件、深紫外探測器件、及新型氧化物透明薄膜晶體管研究，致力于將半導體基礎研究成果推廣到器件應用領域：通過發展GaN同質外延生長技術，大幅度提高了GaN半導體的晶體質量，藉此研制出高擊穿電壓GaN肖特基整流器、及高增益GaN紫外雪崩光電探測器，多次獲得國際主流半導體技術媒體跟蹤報道；兩次刷新GaN基霍爾傳感器最高穩定工作溫度的世界紀錄；研制出現有暗電流密度最低和芯片尺寸最大的AlGaN基日盲深紫外探測器，并帶領南京大學團隊在國內首先實現了高靈敏度GaN基紫外探測器的產業化；在國內首先實現SiC紫外單光子探測器；研究和澄清了GaN基功率器件和發光二極管的幾個基礎器件物理問題，發展了多種新型的器件測試表征方法。迄今已發表學術論文三百余篇，其中包括SCI論文230余篇；所發表文章獲SCI他人引用10000余篇次（截止到2015年12月）；其代表工作被國外同行在綜述文章上稱為“Major breakthrough (重大突破)”；已獲得13項中國發明專利和1項美國發明專利授權；入選科技部創新人才推進計劃、教育部新世紀人才計劃、江蘇省333人才培養計劃；曾獲江蘇省五四青年獎章（2013）、江蘇省十大青年科技之星（2014）、教育部技術發明一等獎（2015）、國家技術發明二等獎（2016）。

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閆建昌

中國科學院半導體研究所研究員

閆建昌，中科潞安紫外光電科技有限公司總經理，中國科學院半導體研究所研究員、博士生導師，國家自然科學基金優秀青年基金獲得者，CASA第三代半導體卓越創新青年，中國科學院青年創新促進會優秀會員，山西省“三晉英才”支持計劃高端領軍人才，北京市科技新星計劃入選者，中國光學工程學會高級會員。清華大學電子工程系學士學位，中科院半導體所博士，法國巴黎第十一大學訪問學者。長期從事氮化物半導體材料和器件研究，尤其專注于氮化鎵半導體紫外發光二極管（UV LED）領域十余年，負責國家863計劃、自然科學基金、重點研發計劃等多項國家級科研項目，取得了具有國際影響力的研究成果。獲北京市科學技術獎一等獎、國家科學技術進步獎二等獎、金磚國家青年創新獎二等獎。

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尹君

廈門大學副教授

尹君，工學博士，主要研究方向為能源轉換相關的光電子材料與相關器件，涉及微米納米結構制備及在半導體材料光電行為操控上的應用、新型生物及光電傳感器制備、高效全固態鈣鈦礦太陽能電池研發等，近年來已在J. Mater. Chem. A、Nanoscale、Adv. Opt. Mater.,ACS Appl. Mater. Interfaces等期刊發表高水平論文多篇。目前已主持國家自然科學基金青年基金項目、中國博士后科學基金面上項目，福建省自然科學基金面上項目，江西省自然科學基金重點項目等多項科研課題，并參與國家自然科學基金面上項目、國家重點研發計劃項目、福建省科技計劃項目及廈門市科技項目等多項。

許福軍

北京大學物理學院長江特聘教授

許福軍，主要研究領域為寬禁帶半導體材料和器件物理。近年來主要開展AlGaN 基深紫外發光材料和器件研究。在AlN、AlGaN及其低維量子結構外延生長、缺陷控制和AlGaN的電導率調控等方面開展了較系統的研究工作，在高質量AlN、高效率AlGaN量子阱以及高載流子濃度p型AlGaN方面均達到國際先進水平，并在團隊支撐下突破了高性能深紫外發光二極管（LED）器件研制的關鍵技術，正推動科研成果落地付諸產業化實踐。

近年來，作為負責人承擔國家自然科學面上基金3項；作為子課題負責人參與國家重點研發計劃項目1項、北京市科委重點項目1項，山東省重點研發計劃項目1項和廣東省重點研發計劃項目1項。迄今以一作/通訊作者在Applied Physics Letters、Optical Express等期刊上共發表SCI 收錄論文30多篇，獲得/申請國家發明專利10多件。

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孫海定

中國科學技術大學教授

孫海定，現任中國科大微電子學院特任教授，博士生導師，iGaN Laboratory實驗室負責人。先后入選國家優青，省杰青，中科院海外高層次人才計劃。本科和碩士畢業于華中科技大學，師從劉勝院士。博士畢業于美國波士頓大學，師從氮化物半導體分子束外延奠基人Theodore D. Moustakas教授。長期致力于寬禁帶III族氮化物（GaN等）和III族氧化物（Ga2O3等）化合物半導體材料MOCVD和MBE外延、光電器件（LED, laser, photodetector等）和電力電子功率器件（高電子遷移率晶體管HEMTs）設計與制備研究。同時開展包括低維材料與器件（納米線，量子點），二維/三維新型半導體異質結的材料生長、載流子輸運特性、光電集成器件與系統研究。

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蔡青

南京大學助理教授

蔡青，博士生導師，南京大學毓秀青年學者。分別于2015年和2020年在南京大學獲得學士學位和博士學位。研究領域為寬禁帶半導體光電材料與器件，發表SCI論文40余篇。獲中國電子學會優秀博士學位論文、2022年度Light杰出論文獎等。主持/參與國家重點研發計劃課題、國家自然科學基金重點/面上/聯合基金等項目課題研究。長期擔任Light-Science&Applications、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters、Advanced Optical Materials等國際期刊審稿人。

三宅秀人

日本三重大學教授

Muhammad Shafa

麻省光子技術（香港）有限公司研究科學家

Muhammad Nawaz SHARIF

鄭州大學

分會詳細日程

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