半導體產業(yè)網獲悉：6月7日，國內第三代半導體碳化硅功率器件代表企業(yè)——基本半導體在公司成立六周年之際宣布完成C2輪融資，由廣汽資本、潤峽招贏、藍海華騰等機構聯(lián)合投資。

 

本輪融資將用于進一步推動碳化硅功率器件的研發(fā)進度以及制造基地的建設，著力加強在新能源汽車及光伏發(fā)電領域的市場拓展，確保基本半導體在國產碳化硅器件領域的領先地位。

 

深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體行業(yè)領軍企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、南京、無錫以及日本名古屋設有研發(fā)中心和制造基地。基本半導體掌握國際領先的碳化硅核心技術，研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設計、封裝測試、驅動應用等全產業(yè)鏈，推出通過AEC-Q101可靠性測試的碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET以及汽車級全碳化硅功率模塊等系列產品，性能達到國際先進水平，產品廣泛應用于新能源、電動汽車、智能電網、軌道交通、工業(yè)控制等領域。

 

基本半導體一直倍受資本市場青睞。據(jù)了解，此前基本半導體已獲得聞泰科技、博世創(chuàng)投、中國中車、深投控、力合科創(chuàng)、安芯投資、涌鏵投資、松禾資本、民和資本、仁智資本、屹唐長厚、中 美綠色基金、佳銀投資、厚土資本、四海新材料等眾多知名機構的多輪投資。

 

廣汽資本總經理袁鋒表示，當前汽車行業(yè)正向電動化、智能化轉型，未來汽車對芯片、尤其是大算力芯片的需求會越來越大。碳化硅功率器件具有耐高溫、耐高壓、低功耗、高效化等特性，可大幅提升未來汽車芯片的性能，近年廣汽集團非常關注相關領域的發(fā)展，并積極尋找優(yōu)秀的碳化硅功率器件供應商。我們很高興看到，基本半導體在車規(guī)級碳化硅功率模塊的研發(fā)突破、上車驗證與量產進程上取得可喜的進展。通過此次合作，我們將聯(lián)手加快碳化硅在新能源汽車領域的廣泛應用，共同推進我國汽車行業(yè)的低碳轉型。

 

藍海華騰技術股份有限公司董事長邱文淵表示，藍海華騰一直關注碳化硅在逆變器、變頻器等領域的市場應用創(chuàng)新。希望此輪融資能幫助基本半導體在碳化硅應用市場拓展上更進一步，持續(xù)領跑國產碳化硅功率器件賽道。

 

基本半導體董事長汪之涵博士表示：感謝所有投資人和合作伙伴對基本半導體的鼎力支持，為國產第三代半導體產業(yè)發(fā)展帶來更多助力。在新一輪戰(zhàn)略投資機構的大力加持下，基本半導體將繼續(xù)緊鑼密鼓地推進產業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)的建設，完善海內外雙循環(huán)供應鏈格局，加速碳化硅功率器件在新能源汽車、新能源發(fā)電等領域實現(xiàn)更多應用，攜手合作伙伴為實現(xiàn)國家“雙碳”戰(zhàn)略目標貢獻創(chuàng)新力量。

 

 

當前，碳化硅賽道進入黃金發(fā)展期，各大頭部車企都在積極布局碳化硅功率器件量產上車，碳化硅在光伏發(fā)電等新能源領域的市場滲透率也在不斷攀升。

 

據(jù)了解，基本半導體自2016年成立之初就聚焦研發(fā)碳化硅肖特基二極管和碳化硅MOSFET芯片，經過多年技術攻關和產品迭代，碳化硅肖特基二極管和MOSFET單管累計出貨超過2000萬只，在光伏儲能、通信電源、服務器電源、充電樁電源、家用電器等行業(yè)超過600家客戶批量應用。

 

基本半導體于2018年開始布局汽車級碳化硅模塊研發(fā)和制造，成功推出了Pcore™6、Pcore™2、Pcell™三個系列產品。2021年通線的汽車級碳化硅功率模塊封裝產線已進入量產階段，未來年產能將達到400萬只模塊，可有力支持車企實現(xiàn)電機控制器從硅到碳化硅的替代，顯著提升整車效率，降低制造和使用成本，目前產品已獲得多個車型的定點。

 

據(jù)了解，在2021年12月30日，基本半導體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產品成功下線。這是目前國內第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產線，采用先進碳化硅專用封裝工藝技術，打造高端數(shù)字化智能工廠。該基地將于2022年3月進行小批量試生產，年中實現(xiàn)量產交付，2022年產能為25萬只模塊，2025年之前將提升至150萬只。

 

2022年5月10-12日,基本半導體攜旗下全系碳化硅功率器件及驅動產品首次亮相PCIM EUROPE（歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展），為現(xiàn)場嘉賓帶來了專業(yè)高效的功率器件解決方案，向世界展示了來自中國的第三代半導體技術。

 

基本半導體展出了多款汽車級全碳化硅功率模塊，包括半橋MOSFET模塊Pcore™2、三相全橋MOSFET模塊Pcore™6、塑封半橋MOSFET模塊Pcell™等。該系列產品采用銀燒結技術，相較于傳統(tǒng)硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作結溫、更低雜散電感、更低熱阻等特性，綜合性能達到國際先進水平。

 

據(jù)了解，基本半導體所屬青銅劍科技集團正在坪山加緊建設第三代半導體產業(yè)基地，預計2023年初建成投產。該基地規(guī)劃建設碳化硅功率器件研發(fā)中心、車規(guī)級碳化硅功率器件封裝線等，將最終形成國內領先的具備全產業(yè)鏈研發(fā)和生產制造能力的第三代半導體產業(yè)基地。

 

目前，基本半導體正在加速碳化硅功率器件設計、制造、封測等關鍵環(huán)節(jié)的產業(yè)鏈布局，致力打造成為國內第三代半導體領域的IDM（垂直整合制造）企業(yè)。