2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。其中，碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術分會作為重要分論壇，目前已經確認最新報告嘉賓正式出爐！

材料水平直接決定了器件的性能。以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用。同時，碳化硅外延工藝是非常關鍵的工藝，器件在外延上實現，外延的質量對器件的性能影響非常大，外延質量受晶體和襯底加工的影響，碳化硅外延是產業(yè)的中間環(huán)節(jié)，對產業(yè)的發(fā)展起到非常關鍵的作用。

據組委會透露，作為IFWS 2022的重要分會之一，碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術分會主題涵蓋4H碳化硅單晶的制備和加工、碳化硅外延研磨技術等各方面。目前分會已經確認有來自浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、南砂晶圓、德國愛思強股份有限公司、南京百識電子科技有限公司、中國科學院物理研究所功能晶體研究與應用中心、北京工業(yè)大學、俄羅斯STR仿真設計軟件集團，臺灣技創(chuàng)工業(yè)股份、臺灣漢民集團等科研院校與代表企業(yè)的知名企業(yè)專家代表共同參與，將圍繞碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術分享主題報告。

目前確認報告嘉賓如下：(仍有部分嘉賓報告正在確認中)：

4H碳化硅單晶的制備和加工技術進展

皮孝東——浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院副院長、教授

大尺寸4H-SiC單晶擴徑及襯底制備

陳秀芳——南砂晶圓副總經理，山東大學教授

TBD碳化硅外延技術

宣融—南京百識電子科技有限公司首席執(zhí)行官

碳化硅及其他化合物半導體外延大規(guī)模量產方案

方子文——德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經理

Sic Wafer研磨加工技術進展

張植芃——臺灣技創(chuàng)工業(yè)股份 、臺灣漢民集團

TBD

陳小龍——中國科學院物理研究所功能晶體研究與應用中心主任、研究員

超快激光輔助加工碳化硅襯底晶圓的研究

陳沛——北京工業(yè)大學副教授

PVT-碳化硅晶體生長仿真設計研究

付昊——俄羅斯STR仿真設計軟件集團

部分嘉賓簡介

皮孝東，浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院副院長、教授。皮孝東，浙江大學硅材料國家重點實驗室和浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院教授，中國真空學會理事和中國真空學會電子材料與器件專業(yè)委員會副主任委員。研究領域主要涉及四族半導體材料和器件。

陳秀芳，山東大學教授，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司副總經理。主要從事寬帶隙碳化硅等半導體材料及相關器件、超硬材料加工及納米材料的研究。在該領域中，取得系列重要應用型科研成果，先后主持承擔了國家科技重大專項、973計劃、預研項目、國家重點研發(fā)計劃、科技部“863”計劃、山東省自主創(chuàng)新重大專項等20余項國家及省部級項目。在國內外學術刊物上發(fā)表論文40余篇，申請和獲得授權發(fā)明專利20余項。獲得“山東省技術發(fā)明一等獎”、“國家自然科學基金優(yōu)秀青年基金”、“山東省自然科學杰出青年基金”等。 

方子文，德國愛思強股份有限公司中國區(qū)副總經理。方子文博士畢業(yè)于英國利物浦大學工程學院，主修先進半導體沉積技術，現任AIXTRON中國區(qū)市場營銷和工藝高級部門經理。他在AIXTRON曾擔任工藝科學家，實驗室部門經理等職，精通三五族化合物半導體MOCVD外延材料生長、制備和測試。其中包括硅基GaN材料用于功率及射頻器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器，及Mini/Micro LED顯示面板產品使用的外延材料。 

陳小龍，中國科學院物理研究所功能晶體研究與應用中心主任、研究員。長期從事寬禁帶半導體材料和新功能晶體材料探索方面的研究工作，先后主持國家863、973和國家科技支撐計劃等23個科研項目，取得了多項研究成果。系統(tǒng)開展了碳化硅晶體生長的基礎和應用開發(fā)研究工作，解決了多項關鍵科學問題和系列關鍵技術，生長出2-4英寸高質量晶體；攻克了晶體制備重復性和穩(wěn)定性等關鍵工程化問題，在國內率先實現了碳化硅晶體的產業(yè)化，碳化硅系列晶片批量供應國內用戶，并出口至歐美和日本等發(fā)達國家，打破了國外的長期壟斷，為發(fā)展我國寬禁帶半導體產業(yè)奠定了基礎。發(fā)現了一系列新的功能晶體材料，包括新超導體K0.8Fe2Se2和具有潛在應用價值的閃爍晶體YBa3B9O18等，精確測定了新化合物的晶體結構，其中120個化合物的衍射數據被ICDD收錄為標準衍射數據。在國際有影響的學術刊物上發(fā)表和合作發(fā)表論文360余篇，引用8000余次，申請國家發(fā)明專利50項（已授權40項），起草國家標準3項（已實施）。在國際學術期刊上發(fā)表論文301篇，共被引用2549次（h因子23）。 

陳沛，北京工業(yè)大學副教授。研究方向為先進電子封裝中的力學問題與可靠性問題、先進電子封裝中的新型材料與結構中的力學問題。曾承擔課題國家自然科學基金青年基金“減薄晶圓損傷層殘余應力和力學性能測量方法研究 （11502005）2016.01-2018.12 （主持）。國家科技重大專項--極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝（“02”專項）任務“晶圓減薄損傷層表征與控制方法”（2014ZX02504-001-005），2014.1-2017.12（參加）

付昊，俄羅斯STR仿真設計軟件集團

宣融

宣融，南京百識電子科技有限公司首席執(zhí)行官

張植芃

張植芃，臺灣技創(chuàng)工業(yè)股份 、臺灣漢民集團

更多論壇信息：

會議時間：2022年11月7日-10日

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊權益收費表

備注：＊中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。

＊學生參會需提交相關證件。

＊會議現場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術,氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導體激光器技術,Mini/Micro LED及其他新型顯示技術,射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件，閉幕大會。

＊SSLCHINA相關會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術，生物農業(yè)光照技術，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應用技術，化合物半導體激光器技術,閉幕大會。

*產業(yè)峰會包括：柔性顯示技術產業(yè)高峰論壇、生物農業(yè)光照技術與產業(yè)應用峰會、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、功率模塊與電源應用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會、UV LED創(chuàng)新應用、Mini/Micro-LED技術產業(yè)應用峰會、智慧照明設計與應用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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