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IFWS 2022前瞻:超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)分會日程公布

發(fā)表于:2023-01-06 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 編輯:

 2023年2月7-10日(7日報到),第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS 2022)&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2022)將于在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。其中,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)分會目前已經(jīng)確認(rèn)最新報告嘉賓及日程正式出爐!

超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件

“超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件”技術(shù)分會(2月9日08:30-17:30)作為IFWS&SSLCHINA 2022重要的分論壇之一,該分會得到了牛津儀器科技(上海)有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司等單位協(xié)辦支持,由山東大學(xué)講席教授陶緒堂,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授龍世兵,西安電子科技大學(xué)副校長、教授張進(jìn)成,鄭州大學(xué)副校長、教授單崇新,北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長、教授王新強(qiáng),西安交通大學(xué)教授王宏興,南京大學(xué)教授葉建東,鄭州大學(xué)教授劉玉懷,西安電子科技大學(xué)教授韓根全等也業(yè)內(nèi)知名專家共同召集。

該技術(shù)分會行業(yè)關(guān)注的較高,在上、下兩場中安排的主題報告十分豐富。上午場有:西安電子科技大學(xué)副校長、教授張進(jìn)成,香港科技大學(xué)副教授黃文海,中山大學(xué)佛山研究院院長、中山大學(xué)半導(dǎo)體照明材料及器件國家地方聯(lián)合工程實驗室主任、教授王鋼,西安電子科技大學(xué)教授韓根全,國家納米科學(xué)中心研究員、中科院納米標(biāo)準(zhǔn)與檢測重點實驗室副主任劉新風(fēng),北京大學(xué)工學(xué)院特聘研究員宋柏,中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員張興旺,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授盧紅亮,湖北大學(xué)教授何云斌,南京大學(xué)汪正鵬;下午場有:哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授朱嘉琦,中國電科首席科學(xué)家、中國電科13所研究員、專用集成電路國家級重點實驗室常務(wù)副主任馮志紅,日本國立物質(zhì)材料研究所研究員廖梅勇,西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng),大連理工大學(xué)副教授張赫之,沙特國王科技大學(xué)副教授李曉航,鄭州大學(xué)副教授楊珣,山東大學(xué)副教授穆文祥,英國布里斯托大學(xué)新興技術(shù)系主任、教授Martin KUBALL,蘇州思體爾軟件科技有限公司副總經(jīng)理付昊,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)周凱等等國內(nèi)外科研院所與代表企業(yè)的專家們將帶來前沿報告,分享超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的最新進(jìn)展。目前該分會日程已經(jīng)出爐,詳情如下:

技術(shù)分論壇:超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件

Technical Sub-Forum: Ultra-wide Bandgap Semiconductors Materials and Devices

時間:20232908:30-17:30

地點:地點:蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店 ? 會議室K3

Time: Feb 9,202308:30-17:30

Location: Kempinski Hotel Suzhou ? K3

協(xié)辦支持/Co-organizer:

牛津儀器科技(上海)有限公司/Oxford Instruments Technology (Shanghai) Co., Ltd.

蘇州思體爾軟件科技有限公司/ SuZhou STR Software Technology Co., Ltd

屏幕尺寸 / Slides Size:16:9

主持人

Moderator

陶緒堂 / TAO Xutang

山東大學(xué)講席教授

Chair Professor of Shandong University

龍世兵 / LONG Shibing

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授

Executive Dean & Professor of School of Microelectronics at University of Science and Technology of China

單崇新 / SHAN Chongxin

鄭州大學(xué)副校長、教授

Vice President & Professor of Zhengzhou University

08:30-08:50

氧化鎵功率器件耐壓和功率優(yōu)值的研究

Research on Voltage Withstand and Power Optimum Value of Ga2O3 Power Devices

張進(jìn)成——西安電子科技大學(xué)副校長、教授

ZHANG Jincheng——Vice President and Professor of Xidian University

08:50-09:10

橫向和縱向β-Ga2O3功率MOSFET的十年進(jìn)展

A Decade of Advances in Lateral and Vertical β-Ga2O3 Power MOSFETs

黃文海——香港科技大學(xué)副教授

Man Hoi WONG——Associate Professor of The Hong Kong University of Science and Technology

09:10-09:30

新型寬禁帶壓電半導(dǎo)體材料ε-Ga2O3及其在射頻諧振器中的應(yīng)用

ε-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators

王鋼——中山大學(xué)佛山研究院院長,中山大學(xué)半導(dǎo)體照明材料及器件國家地方聯(lián)合工程實驗室主任、教授

WANG Gang——Professor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor Lighting Materials and Devices of Sun Yat-Sen University

09:30-09:50

氧化鎵異質(zhì)結(jié)功率晶體管

Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors

韓根全——西安電子科技大學(xué)教授

HAN Genquan——Professor of Xidian University

09:50-10:10

利用泵浦-探測瞬態(tài)反射顯微技術(shù)測定立方砷化硼的高雙極性遷移率

High Ambipolar Mobility in Cubic Boron Arsenide(BAsRevealed by Transient Reflectivity Microscopy

劉新風(fēng)——國家納米科學(xué)中心研究員,中科院納米標(biāo)準(zhǔn)與檢測重點實驗室副主任

LIU Xinfeng——Professor of National Nanoscience Center, Deputy director of the Key Laboratory of Standardizaiton and Characteriaziton of the Chinese Academy of Sciences

10:10-10:25

茶歇 / Coffee Break

10:25-10:45

超高熱導(dǎo)率立方砷化硼和氮化硼晶體

Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity

宋柏——北京大學(xué)工學(xué)院特聘研究員

SONG Bai——Professor of Peking University

10:45-11:05

超寬禁帶六方氮化硼二維原子晶體及其光電器件

Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices

張興旺——中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員

ZHANG Xingwang——Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

11:05-11:25

Ga2O3光電二極管的可控制備及應(yīng)用

Controllable Fabrication and Application of Ga2O3 Photodiodes

盧紅亮——復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授

LU Hongliang——Professor of Fudan University

11:25-11:45

MgO(100)上生長柱狀納米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高靈敏度日盲探測器研究

Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity

何云斌——湖北大學(xué)教授

HE Yunbin——Professor of Hubei University

11:45-12:00

NiO/Ga2O3異質(zhì)結(jié)二極管中深能級陷阱和載流子輸運(yùn)機(jī)制

Correlation of deep-level traps and carrier transport mechanisms in NiO/Ga2O3 heterojunction diodes

汪正鵬 ——南京大學(xué)

Zhengpeng Wang—— Nanjing University

11:45-13:30

午餐 / Lunch

13:30-13:50

單晶金剛石肖特基半導(dǎo)體器件研究

Study on Single Crystal Diamond Schottky Devices

朱嘉琦——哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授

ZHU Jiaqi——Professor of Harbin University of Technology

13:50-14:10

金剛石微波功率器件進(jìn)展

Progress in Diamond Microwave Power Devices

馮志紅——中國電科首席科學(xué)家、中國電科13所研究員、專用集成電路國家級重點實驗室常務(wù)副主任

FENG Zhihong——Hebei Semiconductor Research lnstitute

14:10-14:30

半導(dǎo)體金剛石n型電子器件和MEMS

Semiconductor diamond n-type electronic devices and MEMS

廖梅勇——日本國立物質(zhì)材料研究所研究員

LIAO Meiyong——Professor of National Institute for Material Science,NIMS,Japan

14:30-14:50


MPCVD法金剛石同質(zhì)外延生長及MOS器件技術(shù)

Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology

張金風(fēng)——西安電子科技大學(xué)教授

ZHANG Jinfeng——Professor of Xidian University

14:50-15:10

利用高Al組分β-(AlGa)2O3緩沖層在藍(lán)寶石襯底上優(yōu)化生長高質(zhì)量β-Ga2O3厚膜

Growth of high quality β- Ga2O3 thick film on sapphire by using high Al content β- (AlGa)2O3 buffer layer

張赫之——大連理工大學(xué)副教授

ZHANG Hezhi——Associate professor of Dalian University of Technology

15:10-15:25

茶歇 / Coffee Break

15:25-15:45

在可穿戴光電子學(xué)和電子學(xué)的柔性襯底上外延生長氧化鎵半導(dǎo)體

Epitaxial growth of ga2o3 UWB semiconductor on flexible substrates for wearable optoelectronics and electronics

李曉航——沙特國王科技大學(xué)副教授

LI Xiaohang——Associate Professor at King Abdullah University of Science & Technology

15:45-16:05

金剛石深紫外光電探測器研究

Deep ultraviolet photodetectors based on diamond

楊珣——鄭州大學(xué)副教授

YANG Xun——Professor of Zhengzhou University

16:05-16:25

β-Ga2O3單晶的體晶生長與性能

Bulk crystal growth and properties of β-Ga2O3Single Crystal

穆文祥——山東大學(xué)副教授

MU Wenxiang——Associate Professor of Shandong University

16:25-16:50(從英國連線互動)

Ultrawide Bandgap Ga2O3 Technologies - Benefits of Heterogeneous Integration

Martin KUBALL——英國布里斯托大學(xué)新興技術(shù)系主任、教授

Martin KUBALL——Royal Academy of Engineering Chair in Emerging Technologies at the University of Bristol, UK

16:50-17:05

超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵及金剛石的晶體生長模擬研究

Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond

付昊——蘇州思體爾軟件科技有限公司副總經(jīng)理

Henry FU——Vice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.

17:05-17:20

基于表面電位的β-Ga2O3功率MOSFET緊湊模型

A Surface Potential based Compact Model for β-Ga2O3 Power MOSFETs

周凱——中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)

ZHOU Kai——China University of Science and Technology

 (備注:會前或許微調(diào),請以現(xiàn)場日程為準(zhǔn)。)

【部分嘉賓簡介】

陶緒堂

山東大學(xué)講席教授

陶緒堂,1983年畢業(yè)于山東大學(xué)化學(xué)系,獲得學(xué)士學(xué)位。同年考入山東大學(xué)晶體材料研究所,師從蔣民華教授。1986年獲碩士學(xué)位并留校工作,1991年10月赴日留學(xué),2002年8月回國工作。現(xiàn)任山東大學(xué)教授、晶體材料研究所所長、晶體材料國家重點實驗室主任。2002年度教育部長江學(xué)者特聘教授、2003年度國家杰出青年基金、2005年度教育部創(chuàng)新團(tuán)隊和2007年度國家自然科學(xué)基金委創(chuàng)新群體學(xué)術(shù)帶頭人。兼任中國硅酸鹽學(xué)會理事,中國晶體學(xué)會理事,中國硅酸鹽學(xué)會晶體生長專業(yè)委員會委員,中國物理學(xué)會固體缺陷專業(yè)委員會副主任,第六屆教育部科學(xué)技術(shù)委員會國防科技學(xué)部委員。發(fā)表SCI收錄學(xué)術(shù)論文400余篇,研究成果曾被美國的Chem. & Eng. News , 英國的Chemistry & Industry, 美國化學(xué)會, “ Nature Asia” 等報道。連續(xù)五年(2014-2018)入選愛思唯爾中國高被引學(xué)者(Most Cited Chinese Researchers)榜單。曾獲教育部科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎、山東省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎、日本材料學(xué)會優(yōu)秀報告獎。獲2015年、2016年度教育部自然科學(xué)二等獎。

龍世兵

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授

龍世兵,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授。長期從事微納加工、阻變存儲器、超寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多種國際著名學(xué)術(shù)期刊的審稿人。在IEEE EDL、Adv. Mater.、Nat. Commun.等國際學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文100余篇,SCI他引5500余次,H因子43,6篇論文入選ESI高引論文。申請專利100余項,其中9項轉(zhuǎn)移給國內(nèi)最大的集成電路制造企業(yè)中芯國際,74項授權(quán)/受理發(fā)明專利許可給武漢新芯。主持國家自然科學(xué)基金、科技部(863、973、重大專項、重點研發(fā)計劃)、中科院、廣東省等資助科研項目20多項。參與獲得國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎、國家自然科學(xué)二等獎、中國科學(xué)院杰出科技成就獎。

張進(jìn)成

西安電子科技大學(xué)副校長、教授

張進(jìn)成,西安電子科技大學(xué)副校長、教授。寬禁帶半導(dǎo)體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導(dǎo)體技術(shù)國家級重點實驗室副主任。主要研究領(lǐng)域為寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件,發(fā)表SCI論文300余篇,出版專著3部,授權(quán)發(fā)明專利80余項,成果6次被國際著名雜志Semiconductor Today專題報道。獲得國家技術(shù)發(fā)明二等獎2項(排名第一和第二),省部級科技一等獎4項以及國家教學(xué)成果一等獎1項。1998年起師從中國科學(xué)院院士郝躍教授,從事寬禁帶半導(dǎo)體電子材料與器件研究,是我國乃至國際上最早開展寬禁帶(第三代)半導(dǎo)體電子器件與材料研究的知名學(xué)者之一。曾獲國家杰出青年基金獲得者(2019年)、國家萬人計劃領(lǐng)軍人才(2019年)、科技部中青年科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才(2018年)、教育部長江學(xué)者特聘教授(2016年)、國務(wù)院政府特殊津貼專家(2016年)、陜西省重點科技創(chuàng)新團(tuán)隊負(fù)責(zé)人(2017年)、陜西省三秦學(xué)者特聘教授(2016年)、陜西省三五人才(2010年)、陜西省青年科技新星(2010年)等。

單崇新

鄭州大學(xué)副校長、教授

單崇新,鄭州大學(xué)副校長,理學(xué)博士,教授,博士生導(dǎo)師,國家杰出青年基金獲得者,教育部長江學(xué)者特聘教授。主要從事金剛石光電材料與器件研究,發(fā)表學(xué)術(shù)論文300余篇,被引用11000余次。先后主持國家重大儀器研制項目、國家自然科學(xué)基金委-河南省聯(lián)合基金重點項目等科研項目。獲國家杰出青年基金、長江學(xué)者特聘教授、中國青年科技獎、中組部萬人計劃“青年拔尖人才”、人社部“百千萬人才工程”及國家有突出貢獻(xiàn)中青年專家、中原學(xué)者、河南省杰出專業(yè)技術(shù)人才、河南省五四青年獎?wù)隆⒑幽鲜?chuàng)新爭先獎狀、河南省優(yōu)秀科技專家等獎勵和榮譽(yù)。

王新強(qiáng)

北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長

王新強(qiáng),北京大學(xué)物理學(xué)院教授,教育部長江特聘教授,國家杰出青年基金獲得者,萬人計劃中青年領(lǐng)軍人才,北京大學(xué)東莞光電研究院院長,人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室副主任,北京大學(xué)學(xué)科建設(shè)辦公室主任。分別于1996和2002年在吉林大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院獲得學(xué)士和博士學(xué)位,2002-2008年在日本千葉大學(xué)和日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)進(jìn)行研究工作,2008年由百人計劃加入到北京大學(xué)物理學(xué)院工作。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理與器件研究,發(fā)表SCI論文160余篇,SCI引用逾2500次,在國內(nèi)外學(xué)術(shù)會議上做邀請報告30余次,受邀在兩部英文專著中撰寫了二章節(jié),申請/獲得發(fā)明專利12項,擔(dān)任國家重點研究計劃項目負(fù)責(zé)人(首席),承擔(dān)國家“863”計劃重大項目等多項課題。擔(dān)任Elsevier出版社“Superlattices and Microstructures”編輯,NPG出版社“Scientific Reports”和Wiley出版社Physica Status Solidi系列編委。

Martin KUBALL

英國布里斯托大學(xué)新興技術(shù)系主任、教授

廖梅勇

日本國立物質(zhì)材料研究所研究員

廖梅勇教授主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理、光電子及MEMS器件等研究。報告指出金剛石集機(jī)械、物理、化學(xué)、光學(xué)、電學(xué)等優(yōu)異性能為一體,在高壓、高頻、高溫以及耐輻照電子器件,大功率電力電子器件、LED以及5G通訊用射頻器件熱沉,深紫外LED和日盲傳感,輻射探測、室溫量子信息和傳感等領(lǐng)域具有誘人的應(yīng)用前景。報告還介紹了近年來單晶金剛石生長、半導(dǎo)體器件、氮化物等半導(dǎo)體/金剛石復(fù)合片結(jié)構(gòu)、MEMS傳感、量子傳感等領(lǐng)域的研究進(jìn)展。

王宏興

西安交通大學(xué)教授

西安交通大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件中心主任

王宏興,西安交通大學(xué)教授,西安交通大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件中心主任。2001年在日本德島大學(xué)獲得博士學(xué)位,其后作為高級研究員、執(zhí)行董事、研發(fā)經(jīng)理等職在日本Seki technotron 等公司工作。于2013年全職回國加入西安交通大學(xué)。主要研究領(lǐng)域為:半導(dǎo)體生長用MOCVD,MPCVD;III-V氮化物材料及發(fā)光器件;大尺寸單晶金剛石及電子器件;金剛石基GaN復(fù)合器件;量子光源及傳感器。多項成果被采納用于規(guī)模化生產(chǎn)。擁有100余項專利,發(fā)表文章120余篇。

葉建東

南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授

葉建東,南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授、博導(dǎo)。2002年和2006年分別在南京大學(xué)獲得學(xué)士和博士學(xué)位。曾先后就職于新加坡微電子研究所和澳大利亞國立大學(xué)。長期從事寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料、物理與器件研究,主持和完成國家重點研發(fā)計劃課題、國家優(yōu)秀青年基金、江蘇省杰出青年基金、江蘇省重點研發(fā)計劃等。在IEEE Power Electron. Dev., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans. Electron Dev., Appl. Phys. Lett等學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表130余篇,受邀綜述3篇,專著1章,申請/授權(quán)發(fā)明專利15/7項。

劉玉懷

鄭州大學(xué)教授

劉玉懷,鄭州大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師,科技部電子材料與系統(tǒng)國家國際聯(lián)合研究中心主任,日本名古屋大學(xué)客座教授。主要研究方向為氮化物半導(dǎo)體材料與器件,主持國家重點研發(fā)計劃政府間國際科技創(chuàng)新合作重點專項(基于氮化物半導(dǎo)體的深紫外激光器的研究)、國家自然科學(xué)基金面上項目、河南省科技攻關(guān)項目等12項。發(fā)表論文與會議報告215篇,國際會議邀請報告12次。日本專利公開1項、授權(quán)中國發(fā)明專利1項、實用新型項專利1項、軟件著作權(quán)5項。紫外LED技術(shù)轉(zhuǎn)移1項。目前主持第三批“智匯鄭州1125創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍團(tuán)隊”三色LED集成芯片項目,參與寧波市2025重大科技專項“深紫外LED產(chǎn)業(yè)化”。

李曉航

沙特國王科技大學(xué)副教授

李曉航博士是沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學(xué)電氣工程系副教授,先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室首席研究員。李曉航教授在華中科技大學(xué)獲得應(yīng)用物理學(xué)士學(xué)位,在美國理海大學(xué)獲得電子工程碩士學(xué)位,在美國佐治亞理工學(xué)院取得電子工程博士學(xué)位。博士畢業(yè)后加入沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)創(chuàng)建并擔(dān)任先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室的PI兼博士生導(dǎo)師。現(xiàn)為Photonics Research副編輯和Journal of Semiconductor編委。擔(dān)任IWN等多個國際主要會議的程序或組織委員會成員。李曉航教授致力于第三代半導(dǎo)體超寬禁帶材料、器件、物理、設(shè)備的研究,這些領(lǐng)域預(yù)期會在未來對光電電子通信生化和生命科學(xué)等領(lǐng)域帶來革命性的影響。在國際期刊和會議上發(fā)表論文200余篇,在國際會議大學(xué)研究所和公司做受邀報告80余次,他擁有20余項批準(zhǔn)和在申的國際專利,是Nature Photonics等30多個國際學(xué)術(shù)雜志的審稿人。李曉航教授是半導(dǎo)體深紫外激光研究的先驅(qū)者之一:首次實現(xiàn)在藍(lán)寶石上低閾值深紫外激光和260nm以下深紫外激光,首次實現(xiàn)在同一襯底上半導(dǎo)體TE和TM深紫外激光,首次實現(xiàn)半導(dǎo)體深紫外表面受激輻射。他也在BAlN和Ga2O3等新型第三代半導(dǎo)體研究做出了開創(chuàng)性的成果。他基于物理研究成果創(chuàng)立的Polarization Toolbox軟件已被來自世界各70多個大學(xué)公司和科研院所所使用,包括UCSB、Cornell、ASML、IMEC、RIKEN、Facebook等。李曉航教授獲得過美國晶體生長協(xié)會Harold M. Manasevit Young Investigator Award(全球每兩年一名,系第一位中國人獲該獎),SPIE研究生年度最高獎(全球每年一名,系第一位中國人獲該獎),和IEEE Photonics Society研究生年度最高獎(全球每年十名),佐治亞理工學(xué)院和愛迪生創(chuàng)新基金會博士生最高獎(每年一名)。

馮志紅

中國電子科技集團(tuán)有限公司首席科學(xué)家、中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所副總工程師

MAN HOI WONG黃文海

香港科技大學(xué)副教授

黃文海是香港科技大學(xué)電子及計算機(jī)工程副教授。黃教授是首批通過分子束外延(MBE)研究氮極性GaN微波晶體管及相關(guān)生長技術(shù)的研究人員之一。2011年至2013年,他是美國德克薩斯州SEMATECH公司研究聯(lián)盟的研究科學(xué)家,在該聯(lián)盟中,他開發(fā)了內(nèi)部MBE增長能力,以實現(xiàn)對新型化合物半導(dǎo)體技術(shù)的研究,包括用于超越硅數(shù)字電子的III-V/Si單片集成。2013年至2019年,他在日本國家信息通信技術(shù)研究所(NICT)開發(fā)了Ga2O3電源設(shè)備,該研究所是日本主要的國家信息通信研究所。2019年,他在馬薩諸塞州洛厄爾大學(xué)擔(dān)任電氣和計算機(jī)工程助理教授,2022年返回香港。黃教授發(fā)表了76篇期刊文章,發(fā)表了30多篇受邀演講和研討會,并合著了150多篇會議報告。他是關(guān)于Ga2O3和GaN晶體管技術(shù)的4篇特邀書籍章節(jié)和3篇特邀評論論文的主要作者。他的工作獲得了多項獎項的認(rèn)可,包括IEEE最佳論文獎(2008年設(shè)備研究會議)、SEMATECH公司卓越獎(2012年)、2015年氧化鎵及相關(guān)材料國際研討會青年研究員獎和NICT個人成就獎(2019年)。

韓根全

西安電子科技大學(xué)教授

韓根全,2015年加入中國西安電子科技大學(xué)。主要從事后摩爾新型微電子器件、芯片和Ga2O3功率器件研究。2019年創(chuàng)新發(fā)現(xiàn)不定型類鐵電柵介質(zhì)材料并實現(xiàn)非易失晶體管器件,有望顛覆德國人發(fā)現(xiàn)的多晶摻雜HfO2基鐵電系列,推動非易失嵌入式存儲器在FinFET/Nanosheet FET等先進(jìn)3D晶體管中的應(yīng)用。2019年通過智能剝離和轉(zhuǎn)移技術(shù)(與中科院微系統(tǒng)所歐欣研究員合作)實現(xiàn)高導(dǎo)熱襯底的Ga2O3功率器件,徹底解決Ga2O3導(dǎo)熱問題,該成果為Compound Semiconductors網(wǎng)站報道,美國DARPA跟蹤研究。他發(fā)表了200 多篇技術(shù)論文和 30 項已授權(quán)/正在申請的專利。他是 IEEE Electron Device Letters 的編輯。

王鋼

中山大學(xué)佛山研究院院長

中山大學(xué)半導(dǎo)體照明材料及器件國家地方聯(lián)合工程實驗室主任、教授

王鋼,中山大學(xué)微電子學(xué)院教授,半導(dǎo)體照明材料與器件國家地方聯(lián)合工程實驗室主任,中山大學(xué)佛山研究院院長,教育部2007 年度新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計劃入選者,科技部“十一五”、“十二五”國家科技重點專項(半導(dǎo)體照明專項)總體專家組專家。主要從事寬禁帶氧化物半導(dǎo)體薄膜材料及器件外延制備技術(shù)、電子器件三維異構(gòu)集成芯片3D打印制造技術(shù)、半導(dǎo)體材料高端裝備研發(fā)等方向的研究。

朱嘉琦

哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授

朱嘉琦,哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授。主要從事晶體及薄膜等研究,擔(dān)任中國機(jī)械工程學(xué)會表面工程分會副主任,中國材料研究學(xué)會極端材料與器件分會副主任,中國儀表材料學(xué)會副理事長, Functional Diamond、Advanced Materials & Devices副主編,獲得中國青年科技獎、省青年五四獎?wù)碌葮s譽(yù),獲國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎1項,黑龍江省技術(shù)發(fā)明一等獎2項。以負(fù)責(zé)人承擔(dān)國家自然科學(xué)基金6項(含重點1項)、重點研發(fā)計劃項目2項、國防基礎(chǔ)科研3項、預(yù)研計劃7項、軍品配套3項等科研項目。成果已應(yīng)用于多種重點型號,并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。獲授權(quán)發(fā)明專利82項(轉(zhuǎn)讓21項),在SCIENCE, ADVANCED MATERIALS等知名刊物發(fā)表200余篇學(xué)術(shù)論文,出版學(xué)術(shù)專著2部,譯著1部。

張金風(fēng)

西安電子科技大學(xué)教授

張金風(fēng),西安電子科技大學(xué)教授。主要研究氮化鎵(GaN) 和金剛石(C) 半導(dǎo)體材料和器件。出版國內(nèi)第一部氮化物半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)V兜飳捊麕О雽?dǎo)體材料和電子器件》(科學(xué)出版社, 2013)及其英文版(CRC Press, 2017), 發(fā)表學(xué)術(shù)論文70余篇,授權(quán)國家發(fā)明專利10余項,獲得教育部高等學(xué)校科學(xué)研究優(yōu)秀成果獎技術(shù)發(fā)明獎一等獎和陜西省科學(xué)技術(shù)獎一等獎。研究成果包括IEEE Electron Device Letters對中國金剛石場效應(yīng)管研究的首次和第二次報道(均為2017年)和Applied Physics Letters首次對中國金剛石核探測器的研究報道(2020)。

何云斌

湖北大學(xué)教授

何云斌現(xiàn)任湖北大學(xué)二級教授、博士生導(dǎo)師,湖北省先進(jìn)光電轉(zhuǎn)換與光電催化材料國際合作基地主任,入選教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才等各類省部級人才和團(tuán)隊計劃,兼任中國儀表功能材料學(xué)會電子元器件關(guān)鍵材料與技術(shù)專業(yè)委員會資深常務(wù)委員等。主要在寬禁帶半導(dǎo)體薄膜及紫外光電和功率電子器件、鐵電光伏與介電儲能、低維鈣鈦礦材料與新型光電器件、氧化物表界面物理與化學(xué)等領(lǐng)域/方向開展研究。主持國家重點研發(fā)計劃課題等20余項研究項目,至今發(fā)表學(xué)術(shù)論文240余篇,其中200余篇被SCI收錄,被SCI論文引用4500余次,申請國內(nèi)外專利60余項,獲授權(quán)46項。

何云斌教授帶領(lǐng)團(tuán)隊在新型氧化物寬禁帶半導(dǎo)體合金材料體系及其光電探測技術(shù)開發(fā)方面形成研究特色,開創(chuàng)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的陰陽離子共摻氧化鋅四元合金,氧化錫、氧化鎵基超寬禁帶氧化物合金半導(dǎo)體材料體系,實現(xiàn)了氧化物合金能帶的自由調(diào)控和帶隙大范圍的裁剪,突破了氧化鋅、氧化錫的穩(wěn)定p型摻雜技術(shù)瓶頸,開發(fā)出新型準(zhǔn)同質(zhì)p-n結(jié)型自驅(qū)動紫外探測器和超靈敏極快速日盲紫外光探測器。同時,開發(fā)出鈣鈦礦氧化物高溫壓電陶瓷材料及傳感技術(shù),并將其應(yīng)用于壓電傳感器和高壓放大器。

張興旺

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員

張興旺,中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員,主要從事寬帶隙半導(dǎo)體材料與器件、二維材料與光電器件及光伏材料與器件研究。發(fā)展了一種制備六方氮化硼(h-BN)二維原子晶體的新方法,研制出多種二維異質(zhì)結(jié)光電器件;實現(xiàn)了基于h-BN中間層的遠(yuǎn)程外延,為制備高質(zhì)量二維范德華異質(zhì)結(jié)提供了一種新方法。首次成功制備出異質(zhì)外延生長的立方氮化硼(c-BN)薄膜,為實現(xiàn)c-BN薄膜作為高溫電子材料奠定了基礎(chǔ)。領(lǐng)導(dǎo)的課題組兩次創(chuàng)造有機(jī)無機(jī)鈣鈦礦太陽電池效率的世界紀(jì)錄,研制出高效穩(wěn)定的無機(jī)鈣鈦礦電池以及鈣鈦礦LEDs。已主持或承擔(dān)國家重點研發(fā)計劃、科技部863、973計劃、自然科學(xué)基金以及中科院戰(zhàn)略先導(dǎo)計劃等項目20余項,在Nature Mater., Nature Energy, Nature Photon., Nature Commun., Adv. Mater.等學(xué)術(shù)期刊發(fā)表SCI論文185篇,論文被他引10000余次,獲授權(quán)發(fā)明專利23項;曾獲北京市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎、中科院優(yōu)秀導(dǎo)師獎(3次)、中國科學(xué)院朱李月華優(yōu)秀教師獎、領(lǐng)雁銀獎等,指導(dǎo)的研究生3人獲中科院優(yōu)秀博士學(xué)位論文,6人獲中科院院長獎,7人獲中科院優(yōu)秀畢業(yè)生,多人次獲國家獎學(xué)金。

劉新風(fēng)

國家納米科學(xué)中心研究員

中科院納米標(biāo)準(zhǔn)與檢測重點實驗室副主任

劉新風(fēng),中科院“百人計劃”研究員,中科院納米標(biāo)準(zhǔn)與檢測重點實驗室副主任。2011年于國家納米科學(xué)中心獲博士學(xué)位。2015年中科院海外人才計劃加入國家納米科學(xué)中心,2021年獲中組部人才計劃支持。研究方向為半導(dǎo)體材料微納尺度光與物質(zhì)相互作用光譜和物化性質(zhì)性研究。近年來在Science, Nat. Mater., Nat. Commun., Adv. Mater., Nano Lett.等期刊上發(fā)表論文220余篇,總引用15600余次,H因子64。合著英文專著章節(jié)4章。擔(dān)任Nat. Nanotech., Sci. Adv., Nano Lett., Adv. Mater.等國際學(xué)術(shù)期刊審稿人。任Journal of Physics: Photonics編委會委員,F(xiàn)rontiers of Physics,InfoMat, Materials Today Physics, Materials Today Sustainability青年編委。

宋柏

北京大學(xué)工學(xué)院特聘研究員

宋柏研究員現(xiàn)就職于北京大學(xué)工學(xué)院能源與資源工程系、先進(jìn)制造與機(jī)器人系、能源研究院、微米/納米加工技術(shù)國家級重點實驗室,以及北京市工程科學(xué)與新興技術(shù)高精尖創(chuàng)新中心。他于清華大學(xué)獲得學(xué)士和碩士學(xué)位,美國密歇根大學(xué)獲得博士學(xué)位,麻省理工學(xué)院完成博后工作。在基礎(chǔ)理論、實驗平臺和先進(jìn)材料方面都取得突破,并有望在能源、信息和生醫(yī)等領(lǐng)域產(chǎn)生顛覆性技術(shù)。近年來有四篇論文發(fā)表于Science和Nature,六篇在Nature Nanotechnology等子刊發(fā)表。2020年于前沿交叉領(lǐng)域獲得騰訊基金會第二屆“科學(xué)探索獎”。

付昊

蘇州思體爾軟件科技有限公司(STR-CHINA)副總經(jīng)理

付昊,現(xiàn)任蘇州思體爾軟件科技有限公司(STR-CHINA)副總經(jīng)理,碩士畢業(yè)于哈爾濱工業(yè)大學(xué)能源化學(xué)工程專業(yè),擁有超過10年模擬仿真軟件使用經(jīng)驗,長期和國內(nèi)知名半導(dǎo)體企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)合作,擁有豐富的模擬仿真領(lǐng)域項目合作經(jīng)驗。

盧紅亮

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授

盧紅亮教授于2010年7月進(jìn)入復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院,主要研究方向為用于新一代集成電路工藝、器件和智能傳感器件。同時,他作為第一負(fù)責(zé)人承擔(dān)30多項研究項目,在國內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表SCI論文200多篇, 包括Advanced Materials、Nano Energy、ACS Nano、Applied Physics Letters和IEEE Electron Device Letters等期刊。現(xiàn)任IEEE會員、中國ALD大會秘書、上海市真空學(xué)會常務(wù)理事、上海市電子學(xué)會會員等。

楊珣

鄭州大學(xué)副教授

楊珣,鄭州大學(xué)副教授,碩士研究生導(dǎo)師。博士畢業(yè)于中科院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所,2017年入職鄭州大學(xué)物理學(xué)院金剛石光電材料與器件課題組。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體光電器件、金剛石量子信息材料研究。近年來在Adv. Mater.,Nano Res.,Mater.Horiz.,Mater. Today Phys.,Carbon等期刊以第一作者或通訊作者發(fā)表論文20余篇,先后主持國家重點研發(fā)計劃子課題、國家自然科學(xué)基金青年項目、中國博士后科學(xué)基金特別資助等項目。

穆文祥

山東大學(xué)副教授

穆文祥,山東大學(xué)副教授,博士生導(dǎo)師。2013年和2018年分別獲得山東大學(xué)理學(xué)學(xué)士和工學(xué)博士學(xué)位,師從陶緒堂教授。致力于超寬禁帶半導(dǎo)體β-Ga2O3單晶的生長、襯底加工、性能優(yōu)化及器件研究。設(shè)計、優(yōu)化了導(dǎo)模法單晶生長裝備,從無到有生長獲得了高質(zhì)量、大尺寸β-Ga2O3單晶,與國內(nèi)外相關(guān)單位開展合作,獲得了高性能半導(dǎo)體器件。研究工作獲得了國家重點研發(fā)計劃、國家自然基金重點項目、山東省重大科技創(chuàng)新工程等一系列重大項目資助。以上述工作為基礎(chǔ),參與建設(shè)國家級平臺“新一代半導(dǎo)體材料集成攻關(guān)大平臺”及山東大學(xué)濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究院。發(fā)表學(xué)術(shù)論文30篇,授權(quán)發(fā)明專利3項。研究領(lǐng)域:氧化鎵單晶生長與電學(xué)性能調(diào)控;單晶襯底加工與器件;新型半導(dǎo)體材料探索;激光、磁光、鐵電等功能晶體生長與表征。

張赫之

大連理工大學(xué)副教授

張赫之副教授于2016年博士畢業(yè)于法國巴黎第十一大學(xué),師從Maria Tchernycheva研究員。同年加入瑞士洛桑理工大學(xué)Nicolas Grandjean教授研究組從事博士后研究工作。2019年10月,加入大連理工大學(xué)微電子學(xué)院梁紅偉教授寬禁帶半導(dǎo)體研究團(tuán)隊。目前,主要從事超寬禁帶半導(dǎo)體Ga2O3材料生長與器件的相關(guān)研究。

備注:更多嘉賓信息持續(xù)更新,敬請關(guān)注!

酒店背景頭圖

附件:

壇信息

會議時間:2023年2月7日-10日(7日報到)

會議地點:中國 - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店

程序委員會

主席:

張   榮——廈門大學(xué)黨委書記、教授

聯(lián)合主席:

劉   明——中科院院士、復(fù)旦大學(xué)芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院院長、中科院微電子研究所研究員

顧   瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授

江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長、教授

李晉閩——中國科學(xué)院特聘研究員

張國義——北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長、教授

沈   波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長

徐   科——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員

邱宇峰——廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長

盛   況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授

張   波——電子科技大學(xué)教授

陳   敬——香港科技大學(xué)教授

徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授

吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授

張國旗——荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授

Victor Veliadis——PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授

主題論壇召集人(按姓氏拼音排列):

F1-碳化硅功率電子材料與器件

主題分論壇主席:

盛   況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授

唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長

a.碳化硅功率電子材料與器件

召集人:

盛   況——浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授

柏   松——中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員

張清純——復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任

邱宇峰——廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長

張玉明——西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長、教授

王德君——大連理工大學(xué)教授

袁   俊——九峰山實驗室功率器件負(fù)責(zé)人

b.芯片制造工藝及裝備

召集人:

唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長

王志越——中電科裝備集團(tuán)有限公司首席技術(shù)官

杜志游——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司高級副總裁

吳   軍——北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司副總裁,首席科學(xué)家

F2-氮化物半導(dǎo)體電子材料與器件

主題分論壇主席:

張   波——電子科技大學(xué)教授

吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授

陳堂勝——中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家

馮志紅——中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任

a.氮化鎵功率電子材料與器件

召集人:

張  波——電子科技大學(xué)教授

吳偉東——加拿大多倫多大學(xué)教授

劉  揚(yáng)——中山大學(xué)教授

孫  錢——中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員

張進(jìn)成——西安電子科技大學(xué)副校長、教授

吳毅鋒——珠海鎵未來科技有限公司總裁

梁輝南——潤新微電子(大連)有限公司總經(jīng)理

王茂俊——北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院副教授

b.射頻電子材料與器件

召集人:

陳堂勝——中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家

蔡樹軍——中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所所長

張乃千——蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長

張  韻——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長、研究員

敖金平——日本德島大學(xué)教授、江南大學(xué)教授

于洪宇——南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長、教授

馮志紅——中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國家級重點實驗室副主任

劉建利——中興通訊股份有限公司無線射頻總工

F3-功率電子應(yīng)用

主題分論壇主席:

劉    勝——武漢大學(xué)動力與機(jī)械學(xué)院院長、教授

趙麗霞——天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院常務(wù)副院長、教授

a.功率模塊封裝及可靠性

召集人

劉   勝——武漢大學(xué)動力與機(jī)械學(xué)院院長、教授

趙麗霞——天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院常務(wù)副院長、教授

李世瑋——香港科技大學(xué)教授

陸國權(quán)——美國弗吉尼亞大學(xué)教授

羅小兵——華中科技大學(xué)能源與動力工程學(xué)院院長、教授

楊道國——桂林電子科技大學(xué)教授

王來利——西安交通大學(xué)教授

樊嘉杰——復(fù)旦大學(xué)青年研究員

姜  克——安世半導(dǎo)體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理

F4-襯底材料與裝備

主題分論壇主席:

沈    波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授

陶緒堂——山東大學(xué)講席教授

唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長

a.碳化硅襯底材料生長與加工

召集人

徐現(xiàn)剛——山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授

陳小龍——中國科學(xué)院物理研究所功能晶體研究與應(yīng)用中心主任、研究員

孫國勝——中科院半導(dǎo)體研究所研究員

馮  淦——瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經(jīng)理

b.氮化物襯底材料生長與同質(zhì)外延

召集人:

沈  波——北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

徐  科——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員

黎大兵——中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員

畢文剛——江蘇第三代半導(dǎo)體研究院副院長

楊  敏——江蘇南大光電材料股份有限公司首席技術(shù)官

c.超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件

召集人:

陶緒堂——山東大學(xué)講席教授

龍世兵——中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授

張進(jìn)成——西安電子科技大學(xué)副校長、教授

單崇新——鄭州大學(xué)副校長、教授

王新強(qiáng)——北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長

王宏興——西安交通大學(xué)教授

葉建東——南京大學(xué)教授

劉玉懷——鄭州大學(xué)教授

韓根全——西安電子科技大學(xué)教授

d.生長、加工裝備與量測設(shè)備

召集人:

唐景庭——中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所所長

王志越——中電科裝備集團(tuán)有限公司首席技術(shù)官

杜志游——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司高級副總裁

吳  軍——北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司副總裁,首席科學(xué)家

F5-半導(dǎo)體照明與光電融合技術(shù)

主題分論壇主席:

江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長、教授

曾一平——中科院半導(dǎo)體所研究員

a.全光譜LED材料、芯片、封裝及可靠性

召集人:

江風(fēng)益——中科院院士、南昌大學(xué)副校長、教授

劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO

云  峰——西安交通大學(xué)教授

羅小兵——華中科技大學(xué)能源與動力工程學(xué)院院長、教授

伊?xí)匝唷袊茖W(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

郭偉玲——北京工業(yè)大學(xué)教授

汪  萊——清華大學(xué)電子工程系副教授、信息光電子研究所所長

汪煉成——中南大學(xué)教授

張建立——南昌大學(xué)研究員

b.半導(dǎo)體激光器

召集人:

曾一平——中科院半導(dǎo)體所研究員

張保平——廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授

莫慶偉——老鷹半導(dǎo)體副總裁、首席科學(xué)家

劉建平——中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員

惠   峰——云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家、中科院半導(dǎo)體所研究員

F6-超越照明創(chuàng)新應(yīng)用

主題分論壇主席:

羅  明——浙江大學(xué)光電系教授

瞿  佳——溫州醫(yī)科大學(xué)附屬眼光醫(yī)院院長、教授

顧  瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授

遲  楠——復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院院長、教授

楊其長——國際歐亞科學(xué)院院士、中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員

劉  鷹——浙江大學(xué)生物系統(tǒng)工程與食品科學(xué)學(xué)院院長、教授

a.光品質(zhì)與光健康

召集人

羅  明——浙江大學(xué)光電系教授

瞿   佳——溫州醫(yī)科大學(xué)附屬眼光醫(yī)院院長、教授

郝洛西——同濟(jì)大學(xué)建筑與城市規(guī)劃學(xué)院教授、國際照明學(xué)會(CIE)副主席

林燕丹——復(fù)旦大學(xué)教授

熊大曦——中國科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員

牟同升——浙江大學(xué)教授

魏敏晨——香港理工大學(xué)副教授

蔡建奇——中國標(biāo)準(zhǔn)化研究院視覺健康與安全防護(hù)實驗室主任、研究員

劉  強(qiáng)——武漢大學(xué)顏色科學(xué)與圖像傳播研究所所長、副教授

b.光醫(yī)療

召集人

顧   瑛——中科院院士、解放軍總醫(yī)院教授

張鳳民——黑龍江省醫(yī)學(xué)科學(xué)院副院長,哈爾濱醫(yī)科大學(xué)伍連德書院院長、國家地方聯(lián)合工程研究中心主任

王彥青——復(fù)旦大學(xué)基礎(chǔ)醫(yī)學(xué)院教授

崔錦江——中科院蘇州醫(yī)工所光與健康研究中心副主任、研究員

蔡本志——哈爾濱醫(yī)科大學(xué)教授

董建飛——中國科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所研究員

陳德福——北京理工大學(xué)醫(yī)工融合研究院特聘副研究員

楊   華——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員

c.光通信與傳感

召集人:

遲   楠——復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院院長、教授

馬驍宇——中科院半導(dǎo)體研究所研究員

陳雄斌——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

田朋飛——復(fù)旦大學(xué)副研究員

李國強(qiáng)——華南理工大學(xué)教授

林維明——福州大學(xué)教授

房玉龍——中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員

d.生物與農(nóng)業(yè)光照

召集人:

楊其長——國際歐亞科學(xué)院院士、中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院都市農(nóng)業(yè)研究所副所長、研究員

唐國慶——中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟副理事長、木林森執(zhí)行總經(jīng)理

劉   鷹——浙江大學(xué)生物系統(tǒng)工程與食品科學(xué)學(xué)院院長、教授

泮進(jìn)明——浙江大學(xué)教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事長

賀冬仙——中國農(nóng)業(yè)大學(xué)教授

陳   凱——華普永明光電股份有限公司董事長、總裁

華桂潮——四維生態(tài)董事長

徐  虹——廈門通秮科技有限公司總經(jīng)理

劉厚誠——華南農(nóng)業(yè)大學(xué)教授

李紹華——中科三安光生物產(chǎn)業(yè)研究院院長

F7-新型顯示材料及應(yīng)用

主題分論壇主席:

嚴(yán)  群——福州大學(xué)教授

孫小衛(wèi)——南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授

畢   勇——中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任

a.Mini/Micro-LED顯示材料與裝備

召集人:

嚴(yán)   群——福州大學(xué)教授

王新強(qiáng)——北京大學(xué)東莞光電研究院院長、北京大學(xué)教授

閆春輝——中民研究院常務(wù)副院長、納微朗科技(深圳)有限公司董事長

劉   斌——南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院副院長、教授

黃   凱——廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授

馬松林——TCL集團(tuán)工業(yè)研究院副院長

劉國旭——北京易美新創(chuàng)科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO

邱   云——京東方科技集團(tuán)股份有限公司技術(shù)企劃部副總監(jiān)

劉召軍——南方科技大學(xué)研究員

b.激光顯示三基色材料與器件

畢   勇——中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所研究員、激光應(yīng)用中心主任

趙德剛——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員

c.鈣鈦礦、量子點及柔性照明與顯示等

召集人:

孫小衛(wèi)——南方科技大學(xué)電子與電氣工程系講席教授

廖良生——蘇州大學(xué)教授

徐   征——北京交通大學(xué)教授

段   煉——清華大學(xué)教授

鐘海政——北京理工大學(xué)教授

F8-固態(tài)紫外材料與器件

主題分論壇主席:

康俊勇——廈門大學(xué)教授

王軍喜——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任

a.固態(tài)紫外發(fā)光材料與器件

b.紫外探測材料與器件

召集人:

康俊勇——廈門大學(xué)教授

王軍喜——中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中科院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任

黎大兵——中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員

陸   海——南京大學(xué)教授

陳長清——華中科技大學(xué)教授

郭浩中——臺灣交通大學(xué)特聘教授

李曉航——沙特國王科技大學(xué)副教授


許福軍——北京大學(xué)物理學(xué)院副教授

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日程安排

1.3最新日程安排

注冊權(quán)益收費(fèi)表

報名權(quán)益

備注:

*中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

*學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。

*會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

*IFWS相關(guān)會議包括:開幕大會,碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件,閉幕大會。

*SSLCHINA相關(guān)會議包括:開幕大會,氮化物襯底材料生長與外延技術(shù),固態(tài)紫外材料與器件,LED芯片、封裝與光通信,Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù),教育照明與健康光環(huán)境,光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù),化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會。

*產(chǎn)業(yè)峰會包括:生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、功率模塊與電源應(yīng)用峰會、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會。

*若由于某些原因,您繳費(fèi)后無法參會,可辦理退款事宜,組委會將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。

*自助餐包含:2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。

論壇線上注冊平臺

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*備注:請微信掃碼查看并注冊,注冊成功后可在個人中心查看電子票信息、申請發(fā)票、為他人報名、分享海報等等。

*防疫提醒:目前全國各地防疫政策逐漸放寬,目前進(jìn)/出蘇州不再查驗健康碼,但不排除個別城市出行仍查驗48小時核酸陰性證明,組委會提醒參會代表臨行前能盡量測驗一下核酸,核酸/體溫?zé)o異常者,持綠色健康碼現(xiàn)場參會。

即日起至2023年2月1日之前,完成注冊繳費(fèi)即可享受折扣票(詳見上圖),中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。


論文重要期限及提交方式
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2) 投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表,優(yōu)秀文章經(jīng)程序委員會初評后可推薦在Semiconductor Science and Technology (SST)上發(fā)表。IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫,SST是SCI期刊。 
 
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