?開年第三代半導體盛會，凝心聚力再啟新征程！—— 第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年2月7-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。其中，碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術分會作為重要的技術分論壇，目前已經確認的報告嘉賓日程正式出爐！

材料水平直接決定了器件的性能。以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用。同時，碳化硅外延工藝是非常關鍵的工藝，器件在外延上實現，外延的質量對器件的性能影響非常大，外延質量受晶體和襯底加工的影響，碳化硅外延是產業的中間環節，對產業的發展起到非常關鍵的作用。

作為IFWS重要的技術分論壇，碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術分會得到了寧波恒普真空科技股份有限公司，勵德愛思唯爾信息技術（北京）有限公司，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司，中國電子科技集團公司第四十八研究所，德國愛思強股份有限公司，湖北九峰山實驗室,哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司協辦支持，由山東大學新一代半導體材料研究院院長徐現剛教授，中國科學院物理研究所功能晶體研究與應用中心主任陳小龍研究員，中科院半導體研究所孫國勝研究員，瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經理馮淦博士等業界知名專家擔任程序委員會召集人。

屆時，特邀徐現剛教授和陳小龍研究員共同主持，由浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院副院長、教授皮孝東，南砂晶圓副總經理、山東大學教授陳秀芳，南京百識電子科技有限公司首席執行官宣融，德國愛思強股份有限公司中國區副總經理方子文，勵德愛思唯爾信息技術（北京）有限公司研究員賈維煒，中國科學院物理研究所副研究員李輝，中國電子科技集團公司第四十六研究所、首席專家王英民，哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司董事長趙麗麗，廈門大學薩本棟微米納米科學技術研究院副教授尹君，北京工業大學副教授陳沛等科研院校專家學者與企業專家代表共同參與，將圍繞碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術分享前沿研究。

目前最新日程如下，歡迎參會交流合作：

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技術分論壇：碳化硅襯底材料生長與加工及外延技術 Technical?Sub-Forum: SiC Substrate Material Growth,?Processing and Epitaxy Technologies
時間：2023年2月9日08:30-12:00 地點：蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店?? K5-6 Time: Feb?9th，2023，08:30-12:00 Location:?Kempinski Hotel Suzhou ? K5-6
協辦支持/Co-organizer: 寧波恒普真空科技股份有限公司/NINGBO HIPER VACUUM TECHNOLOGY CO.,LTD 勵德愛思唯爾信息技術（北京）有限公司/Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd. 廣州南砂晶圓半導體技術有限公司/Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,ltd 中國電子科技集團公司第四十八研究所/The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation 德國愛思強股份有限公司/ AIXTRON 湖北九峰山實驗室/JFS Laboratory 哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司/Harbin KY Semiconductor Inc
屏幕尺寸?/ Slides Size：16:9
主持人 Moderator	徐現剛 /?XU Xiangang 山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授 Professor & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University 陳小龍 /?CHEN Xiaolong 中國科學院物理研究所功能晶體研究與應用中心主任、研究員 Professor and Director of Research & Development Center for Functional Crystals at the Institute of Physics, CAS
08:30-08:50	4H碳化硅單晶的制備和加工技術進展 Progress of the growth and processing of monocrystalline 4H silicon carbide 皮孝東——浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院副院長、教授 PI Xiaodong——Deputy Dean & Porfessor of Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center, Zhejiang Univerisity
08:50-09:10	大尺寸 Diameter Enlargement and Substrate Preparation of Large Size 4H SiC Single Crystals 陳秀芳——南砂晶圓總經理助理，山東大學教授 CHEN Xiufang——Assistant General Managerof Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,ltd,?Professor of Shandong University
09:10-09:30	碳化硅外延與晶圓制造技術 Silicon carbide epitaxy and wafer manufacturing technology 宣融——南京百識電子科技有限公司首席執行官 XUAN Rong——CEO of ?Nanjing Baizhi Electronic Technology Co., Ltd?
09:30-09:50	碳化硅及其他化合物半導體外延大規模量產方案 High Volume Manufacturing of Sic?and?Other?Compound Semiconductor Epitaxy 方子文——德國愛思強股份有限公司中國區副總經理 FANG Ziwen——Deputy General Manage，China AIXTRON SE
09:50-10:10	全球科研信息賦能第三代半導體材料技術創新與發展——基礎研究及科研策略分析Global scientific research information empowers innovation and development of third-generation semiconductor materials technology - analysis of basic research and scientific research strategies 賈維煒——勵德愛思唯爾信息技術（北京）有限公司研究員 JIA Weiwei——Researcher of Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd.
10:10-10:25	茶歇 /?Coffee Break
10:25-10:45	液相法碳化硅單晶生長研究進展 Recent progress on the growth of SiC single crystals from high temperature solutions 李 輝——中國科學院物理研究所副研究員 LI Hui——Associate Professor of Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
10:45-11:05 ?	碳化硅單晶技術進展及挑戰 Progress and challenge of silicon carbide single crystal technology 王英民——中國電子科技集團公司第四十六研究所，首席專家 WANG Yingmin——Chief Expert of CETC 46
11:05-11:25	電阻爐8英寸碳化硅單晶制備技術探索 Research on the preparation technology of 8-inch SiC single crystal in resistance furnace 趙麗麗 ?哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司董事長 ZHAO Lili ??President of Harbin KY Semiconductor Inc
11:25-11:45	200 mm碳化硅晶體生長仿真：基于氣相導流板調控的傳質過程優化 Optimized mass transport for 200-mm silicon carbide bulk growth by a designed gas deflector 尹君——廈門大學薩本棟微米納米科學技術研究院副教授 YIN Jun——Associate Professor of Xiamen Univsersity
11:45-12:00	超快激光輔助加工碳化硅襯底晶圓的研究 The study of ultra-fast laser assisted processing of SiC substrate wafer 陳沛——北京工業大學副教授 CHEN Pei——Associate Professor of Beijing University of Technology

?備注：日程或有微調，最終以現場為準。

【部分嘉賓簡介】

徐現剛

山東大學新一代半導體材料研究院院長、教授

徐現剛，山東大學教授、博士生導師，教育部長江計劃特聘教授，國家杰出青年科學基金獲得者，泰山學者特聘專家，科技部973國家重點基礎研發計劃首席科學家，核心基礎元器件重大專項負責人。國家863計劃半導體照明工程重大項目總體專家組專家，享受國務院政府特殊津貼專家，獲得山東省科技進步一等獎，國防科學技術進步一等獎，山東省技術發明一等獎，以及第十屆“山東省優秀科技工作者”榮譽稱號。

現任山東大學新一代半導體材料研究院主任。國務院學位委員會委員、中國晶體學會理事、弱光非線性光子學教育部重點實驗室學術委員會委員、中國光學光電子行業協會光電器件分會特聘專家、中國青年科技工作者協會會員。在國內外發表論文400余篇，被引4000余次。國家授權發明專利100余項。

陳小龍

中國科學院物理研究所功能晶體研究與應用中心主任、研究員

陳小龍，博士，德國海德堡大學和巴洛意特大學洪堡學者?，F任中科院物理研究所研究員，博士生導師，1999年獲國家杰出青年科學基金，2003年入選中國科學院“百人計劃”，2004年至今兼任中國晶體學會副理事長和國際衍射數據中心（ICDD）中國區主席，2007年獲ICDD Fellow稱號，2009年成為“新世紀百千萬人才工程”國家級人選，2009年獲第五屆“發明創業獎”特等獎，作為負責人帶領寬禁帶半導體材料研究與應用團隊獲2010年度“中國科學院先進集體”榮譽稱號。

長期從事寬禁帶半導體材料和新功能晶體材料探索方面的研究工作，先后主持國家863、973和國家科技支撐計劃等23個科研項目，取得了多項研究成果。系統開展了碳化硅晶體生長的基礎和應用開發研究工作，解決了多項關鍵科學問題和系列關鍵技術，生長出2-4英寸高質量晶體；攻克了晶體制備重復性和穩定性等關鍵工程化問題，在國內率先實現了碳化硅晶體的產業化，碳化硅系列晶片批量供應國內用戶，并出口至歐美和日本等發達國家，打破了國外的長期壟斷，為發展我國寬禁帶半導體產業奠定了基礎。發現了一系列新的功能晶體材料，包括新超導體K0.8Fe2Se2和具有潛在應用價值的閃爍晶體YBa3B9O18等，精確測定了新化合物的晶體結構，其中120個化合物的衍射數據被ICDD收錄為標準衍射數據。在國際有影響的學術刊物上發表和合作發表論文360余篇，引用8000余次，申請國家發明專利50項（已授權40項），起草國家標準3項（已實施）。在國際學術期刊上發表論文301篇，共被引用2549次（h因子23）。自1999年來指導博士研究生58余名，其中40人已獲博士學位。招收博士后4人，3人出站。

孫國勝

中國科學院半導體研究所研究員

東莞市天域半導體科技有限公司副總經理

孫國勝，中國科學院半導體研究所研究員，東莞市天域半導體科技有限公司副總經理。1994年畢業于中國科學院半導體研究所并獲理學博士學位，同年留所從事半導體致冷技術的開發工作。1997-1998年在美國加州大學洛杉磯分校（UCLA）物理系做博士后研究工作。目前主要從事第三代寬帶隙SiC（碳化硅）半導體外延材料生長、特性表征、以及SiC功率半導體器件研制工作。先后參加和主持國家“863”、國家重大基礎研究計劃項目（973項目）、國家自然科學基金委、中國科學院重點和北京市科委等項目多項。近來，作為廣東省創新科研團隊引進項目的主要成員，與廣東省企業合作承擔了廣東省戰略性新型產業項目和東莞市重大方向性項目，開展SiC外延晶片產業化以及SiC功率半導體器件制造技術研發工作。

多年還從事過非晶硅半導體材料與器件技術和半導體致冷技術的研究與開發工作，曾獲得中國科學院科學技術成果獎（非晶硅中的亞穩缺陷及界面問題研究）、陜西省教育委員會科學技術進步獎（非晶碳化硅的電致發光特性及大面積發光二極管）和中國科學院留學回國擇優支持項目的資助。從九十年代至今在國內外主要學術刊物上發表研究論文六十余篇，獲得國家發明和實用新型專利十余項。主要研究領域或方向：第三代寬帶隙SiC半導體材料、物理與器件及產業化研究。

馮? 淦

瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經理

馮淦，博士，教授級高級工程師。2003年畢業于中科院半導體所，獲材料物理與化學專業博士學位，后就職于德國、日本多家科研機構，一直從事禁帶半導體外延生長及其大功率器件的研制。2011年9月回國加入瀚天天成電子科技（廈門）有限公司，推動碳化硅半導體外延晶片的國產化，現為瀚天天成公司總經理。發表SCI收錄論文40多篇，申請專利20多項，主持碳化硅外延晶片團體標準二項，多次受邀在國內外學術會議上做特邀報告。

在其主導下，瀚天天成研發團隊成功攻克多項碳化硅外延生長關鍵技術，成功完成600V、1200V碳化硅外延晶片的研制和產業化，產品質量達到世界領先水平。馮淦博士還主持和參與了國家發改委2012年“電子信息產業振興和技術改造項目”、國家科技部重大科技專項（02專項）“SiC電力電子器件集成制造技術研發與產業化”、國家科技部863項目“基于SiC器件的并網光伏逆變器研制”和“大尺寸SiC材料與器件制造設備與工藝技術研究”、國家科技部重點研發計劃“中低壓SiC材料、器件及其在電動汽車充電設備中的應用示范”等多項國家級項目。

皮孝東

浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院副院長、教授

皮孝東,浙江大學半導體材料研究所所長，浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院副院長、教授。浙江大學硅材料國家重點實驗室和浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院雙聘教授，博士生導師。2004年在英國巴斯大學獲得博士學位，并受頒新穎研究獎章。隨后在加拿大麥克馬斯特大學和美國明尼蘇達大學雙城分校從事研究工作。于2008年到浙江大學工作，在2012年由副教授晉升為教授。是中國真空學會理事和中國真空學會電子材料與器件專業委員會副主任委員（2019-2024）、美國物理聯合會學術期刊Applied Physics Letters的編輯顧問委員會成員（2017-2022）、英國物理學會學術期刊Nanotechnology的顧問委員會成員（2019-2021）、《半導體學報》青年編委（2021-2023）、國家重點研發計劃“光電子與微電子器件及集成”項目顧問專家（2019-2023）。

主要從事半導體材料和器件研究。在硅基異質結構及其光電器件如發光二極管、光電探測器和光電神經形態器件研究方面取得了系列進展。近期針對寬禁帶半導體發展的迫切需求，啟動了以半導體碳化硅為代表的寬禁帶半導體的制備、加工、外延和應用研究。曾在Physical Review Letters、Advanced Materials、Materials Science & Engineering R、ACS Nano、Nano Letters、Nano Energy和IEDM等學術期刊和會議上發表了系列研究論文。

陳秀芳

南砂晶圓總經理助理、山東大學教授

陳秀芳，山東大學教授，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司總經理助理。主要從事寬帶隙碳化硅等半導體材料及相關器件、超硬材料加工及納米材料的研究。在該領域中，取得系列重要應用型科研成果，先后主持承擔了國家科技重大專項、973計劃、預研項目、國家重點研發計劃、科技部“863”計劃、山東省自主創新重大專項等20余項國家及省部級項目。在國內外學術刊物上發表論文40余篇，申請和獲得授權發明專利20余項。獲得“山東省技術發明一等獎”、“國家自然科學基金優秀青年基金”、“山東省自然科學杰出青年基金”等。

李? 輝

中科院物理所副研究員

李輝，中科院物理所副研究員。曾獲中科院青年促進會會員、中科院盧嘉錫青年人才獎、英國皇家學會牛頓高級研究學者、北京市科學技術進步一等獎等榮譽稱號。承擔國家重點研發計劃2項（課題負責人和單位負責人）、北京市科技計劃（單位負責人）、英國皇家學會高級牛頓研究學者項目（負責人）、中科院青年促進會項目、國家自然基金面上、青年基金等10余項，做為項目骨干參與中國科學院“弘光專項”、科技部863課題等8項。在Chemical Reviews、Nature Energy、Nature Chemistry、JACS、Journal of Crystal Growth等期刊上發表SCI論文90余篇，獲授權專利7項，譯著1部。

王英民

中國電子科技集團公司第四十六研究所，首席專家

王英民博士，研究員，中國電科集團首席專家，寬禁帶半導體材料山西省重點實驗室主任，CASA第三代半導體卓越青年，山西省學術技術帶頭人，“三晉英才”領軍人才，山西省新興產業領軍人才。2009年畢業于山東大學晶體材料國家重點實驗室，獲博士學位。長期從事碳化硅單晶生長及缺陷表征工作，具有近20年碳化硅單晶材料研制經驗。主持并參加了國家自然科學基金、“863”計劃以及山西省重大專項等20余項國家，省部級課題研究。獲山西省、集團公司、國防系統等省部級科技進步獎5項。在國內外期刊和重要國際會議上發表論文40余篇。申請國家專利18項，授權9項。

趙麗麗

哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司董事長

哈爾濱工業大學教授

趙麗麗博士，2006年在德國獲得德國馬克思普朗克物理所 材料學博士學位，2012年哈爾濱工業大學“百人計劃”高層次人才引入，投身家鄉教育事業，在哈工大化工與化學學院擔任教授，為國家振興，民族富強培養棟梁之才。趙麗麗博士長期堅持在科研一線、潛心研究新材料與高端裝備，并于2018年受邀擔任深圳第三代半導體研究院晶體材料所所長。2018年響應“大眾創業、萬眾創新”的政策，趙麗麗博士持科技成果創辦哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司（簡稱：科友半導體）擔任董事長。2006年-2007年，在瑞士聯邦工業大學蘇黎世分校從事博士后研究工作；2007年-2010年，在挪威麥拓卡夫特（metaLLKRAFT）研發部，擔任資深研究員；2011年-2013年，在美國可再生能源公司，擔任中國區總經理兼技術總監。2015年至今，在創業奮斗的過程中，也獲得國家、省、市的各項殊榮。入選國家中組部“創新創業人才”，入選國家科技部“萬人計劃”科技創新領軍人才；黑龍江省杰出青年科學基金獲得者，獲黑龍江省科學技術一、二等獎各一項。黑龍江省巾幗建功標兵、黑龍江省十大杰出青年創業獎、黑龍江省歸國留學生人員報國獎；獲得哈爾濱市科技創業獎、哈爾濱市有突出貢獻專家、哈爾濱高層次創新人才、哈爾濱市有突出貢獻中青年專家、三八紅旗手和省人才代表等榮譽稱號。

方子文

德國愛思強股份有限公司中國區副總經理

方子文，德國愛思強股份有限公司中國區副總經理。方子文博士畢業于英國利物浦大學工程學院，主修先進半導體沉積技術，現任AIXTRON中國區市場營銷和工藝高級部門經理。他在AIXTRON曾擔任工藝科學家，實驗室部門經理等職，精通三五族化合物半導體MOCVD外延材料生長、制備和測試。其中包括硅基GaN材料用于功率及射頻器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器，及Mini/Micro LED顯示面板產品使用的外延材料。

宣? 融

南京百識電子科技有限公司首席執行官

宣融，南京百識電子科技有限公司首席執行官，臺灣交通大學博士，主要研究方向為第三代半導體，發表著作20篇，半導體領域專利發明86件。主要經歷如下：研究所畢業后進入臺灣工研院電光所服務，在技術研發與產業服務方面皆有優良表現。期間取得交大電子物理博士學位。博士論文為“以硅基板開發常關型氮化鎵高電子移動率晶體管”。曾先后供職于臺灣漢磊科技和嘉晶電子，組建第三代半導體技術團隊，領導并完成多項三代半功率器件新產品的研發和銷售任務，多年來率領技術團隊在氮化鎵和碳化硅功率器件的量產良率提升方面取得卓越成績。2019年創立南京百識電子，擔任南京百識董事、總經理和創始人。建立專業第三代半導體外延片代工廠，目前4/6寸SiC外延片，以及6/8寸GaN on Si外延片生產線均已完成建置，并在2022年順利實現量產；在碳化硅和氮化鎵外延片的生產上，宣融所領導的團隊具備10年以上超過5萬片量產經驗。曾獲得臺灣工研院部服務推廣獎銀牌；工研院電光所杰出研究所金牌；新竹縣社會優秀青年；南京浦口區中青年優秀人才；江蘇省雙創人才，中國科學技術大學碩士研究生實踐導師。

尹? 君

廈門大學薩本棟微米納米科學技術研究院副教授

尹君，工學博士，2014年6月畢業于華中科技大學光學與電子信息學院/武漢光電國家實驗室；2014年9月加入廈門大學薩本棟微米納米科學技術研究院，任研究型助理教授/師資博士后；2017年8月任副教授職務。主要研究方向為能源轉換相關的光電子材料與相關器件，涉及微米納米結構制備及在半導體材料光電行為操控上的應用、新型生物及光電傳感器制備、高效全固態鈣鈦礦太陽能電池研發等，近年來已在J. Mater. Chem. A、Nanoscale、Adv. Opt. Mater.,ACS Appl. Mater. Interfaces等期刊發表高水平論文多篇。目前已主持國家自然科學基金青年基金項目、中國博士后科學基金面上項目，福建省自然科學基金面上項目，江西省自然科學基金重點項目等多項科研課題，并參與國家自然科學基金面上項目、國家重點研發計劃項目、福建省科技計劃項目及廈門市科技項目等多項。

陳? 沛

北京工業大學副教授

陳沛，北京工業大學副教授。研究方向為先進電子封裝中的力學問題與可靠性問題、先進電子封裝中的新型材料與結構中的力學問題。曾承擔課題國家自然科學基金青年基金“減薄晶圓損傷層殘余應力和力學性能測量方法研究 （11502005）2016.01-2018.12 （主持）。國家科技重大專項--極大規模集成電路制造裝備及成套工藝（“02”專項）任務“晶圓減薄損傷層表征與控制方法”（2014ZX02504-001-005），2014.1-2017.12（參加）。

賈維煒

勵德愛思唯爾信息技術（北京）有限公司研究員

（備注：以上嘉賓信息未經其本人確認，僅供參考。）

【關于本場分會協辦單位】

》》》寧波恒普真空科技股份有限公司

寧波恒普真空科技股份有限公司是一家以材料研究為基礎，以高溫熱場環境控制為技術核心的金屬注射成形（MIM)領域和寬禁帶半導體領域的關鍵設備供應商，主要從事金屬注射成形（MIM）脫脂燒結爐、碳化硅晶體生長爐、碳化硅同質外延設備等熱工裝備的研發、生產和銷售。恒普科技以材料基礎研究和創新方法解決行業需求，為行業提供全新的解決方案，推動行業的發展。

》》》勵德愛思唯爾信息技術（北京）有限公司

愛思唯爾是全球信息與分析領域的領導者，幫助科研和醫學專業人員推動科學發展、改善醫療成果從而造福社會。140多年以來，我們一直致力于與科研與醫學專業人員合作，支持他們更高效地開展工作。從學術出版起家，愛思唯爾提供知識資源和分析服務，幫助我們的用戶取得科研突破，推動社會進步。我們在戰略研究管理、研發表現、臨床決策支持和醫學教育領域提供數字化解決方案，包括ScienceDirect， Scopus， SciVal， ClinicalKey 和Sherpath。愛思唯爾是勵訊集團（RELX）的成員之一，勵訊集團（RELX）為全球專業人士和商業客戶提供科學、醫療、法律和商業領域信息分析服務及決策工具。

》》》廣州南砂晶圓半導體技術有限公司

廣州南砂晶圓半導體技術有限公司是一家從事碳化硅單晶材料研發、生產和銷售三位一體的國家高新技術企業。公司以山東大學晶體材料國家重點實驗室近年來研發的最新碳化硅單晶生長與襯底加工技術成果為基礎，同山東大學開展全方位產學研合作。公司產品以6英寸半絕緣和n型碳化硅襯底為主，可視市場需求不斷豐富產品線。第三代半導體材料作為新基建的戰略性材料，公司將立足粵港澳大灣區，力爭發展成為全國乃至全球馳名的碳化硅半導體公司。

》》》中國電子科技集團公司第四十八研究所

中國電子科技集團公司第四十八研究所（以下簡稱48所）又名“長沙半導體 工藝設備研究所”，成立于1964年5月，隸屬于中國電子科技集團有限公司?，F 有科研生產人員近1000人，其中享受國務院政府特殊津貼專家29人，研究員 33人。

48所技術力量雄厚，專業門類齊全，是國內唯一從事以三束（離子束、電子 束、分子束）為主的軍民兩用型骨干科研生產單位，產品包括第三代半導體裝備 以及集成電路裝備、光伏電池裝備、磁性材料裝備、冶金材料裝備、特種傳感器與系統，并具備裝備整線集成能力。產品銷售覆蓋含香港、臺灣在內的全國29個 省市、特區，出口到美國、德國、法國、西班牙、俄羅斯、澳大利亞、埃及、土 耳其等20多個國家和地區。

48所擁有國家第三代半導體技術創新中心（湖南）、國防科技工業有源層優 化生長創新中心、國家光伏裝備工程技術研究中心、中國-埃及可再生能源國家聯 合實驗室等5個國家級平臺和博士后科研工作站，取得重大科研成果380余項，其 中填補國內空白148項、達到國際先進水平138項、列為國家替代進口119項，擁有專利396項。

》》》德國愛思強股份有限公司

AIXTRON愛思強是半導體產業領先的沉積設備供應商。該公司成立于1983年，總部設在德國黑措根拉特（靠近亞?。⒃趤喼?、美國及歐洲設有子公司及銷售辦事處。該公司的技術解決方案被全世界廣泛的客戶所使用，以制造先進的電子和光電子應用元件，這些元件乃基于化合物、硅或有機半導體材料。該元件被廣泛用于創新應用、技術及行業，其中包括LED應用、顯示技術、數據存儲、數據傳輸、能源管理和轉化、通訊、信號燈和照明技術以及其他尖端技術。請瀏覽網站www.aixtron.com 了解AIXTRON愛思強（法蘭克福證券交易所：AIXA，國際證券號碼：DE000A0WMPJ6）的更多信息。

》》》湖北九峰山實驗室

九峰山實驗室與你一起，創造未來。

九峰山實驗室以建設先進的化合物半導體研發和創新中心為愿景。我們將來自世界各地的人才聚集在一起，建設先進的基礎設施，打造公共、開放、共享的科研平臺，與合作伙伴一起構建可持續發展的未來。

九峰山實驗室于2021年成立。實驗室緊密結合全球優勢學科領域和重點產業布局，連接科研與產業，建立成熟開放的實驗室運營機制、豐富的基礎IP交付能力、一流的設備環境、良好穩定的合作關系，打造成全球最具影響力的化合物半導體科研創新高地。

天工開物檢測分析中心為先進半導體產業鏈提供世界級第三方量測能力。

天工開物檢測分析中心是九峰山實驗室重點打造的檢測分析平臺，聚焦于半導體材料和器件的分析與測試，秉持開放的理念，提供專業、全面的檢測分析服務。

》》》哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司

哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司成立于2018年5月，企業坐落于哈爾濱市新區，是一家專注于第三代半導體裝備研發、襯底制造、器件設計、技術轉移和科研成果轉化的國家級高新技術企業，研發覆蓋半導體裝備研制、長晶工藝、襯底加工等多個領域，已形成系列自主知識產權，實現先進技術自主可控?？朴寻雽w投資10億元人民幣，打造產、學、研一體化的第三代半導體產學研聚集區，致力成為第三代半導體關鍵材料供應商，并在黑龍江建設第三代半導體材料研發及裝備制造的新高地，形成半導體產業高端裝備和材料制造的新動能。

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科友將在第三代半導體產學研聚集區內實現碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長-襯底加工-外延晶圓的全產業鏈閉合，成為行業內首家材料端全閉合企業。全力實現第三代半導體全產業鏈的技術和專利中國化。

附：

一年一度行業盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA ）將于2023年2月7-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。在這場被視為“全球第三代半導體行業風向標”的盛會上，由2014年諾貝爾物理獎獲得者、日本工程院院士、美國工程院院士、中國工程院外籍院士、日本名古屋大學未來材料與系統研究所教授天野浩，美國工程院院士、美國國家發明家院士、中國工程院外籍院士、美國弗吉尼亞理工大學的大學特聘教授Fred LEE領銜200多個報告嘉賓，緊扣論壇“低碳智聯·同芯共贏”大會主題，將在開幕大會、主題分會及同期共計近30余場次活動中，全面展現第三代半導體產業鏈前沿技術進展及產業發展“風向"。

國際第三代半導體論壇（IFWS）是由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）在中國地區舉辦的、具備較強影響力的第三代半導體領域年度盛會，是引領全球第三代半導體新興產業發展，促進相關產業、技術、人才、資金、政策合力發展的全球性、全產業鏈合作的高端平臺和高層次綜合性論壇。論壇以促進第三代半導體與電力電子技術、移動通信技術、紫外探測技術和應用的國際交流與合作，全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，成為全球范圍內的全產業鏈合作交流的重要平臺，引領第三代半導體產業發展方向。

中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）伴著中國半導體照明產業的發展一路成長起來，已成為半導體照明領域最具規模，參與度最高、口碑最好的全球性高層次論壇。十幾年的時間里，論壇盡最大力量打造國際性舞臺，邀請全球頂級專家，傳遞最前沿的產業、技術發展信息。

至今，SSLCHINA已連續舉辦了十八屆，IFWS也同期連續舉辦了七屆，全球超過1900位專家學者、企業領袖、投資人等蒞臨現場發布了精彩演講，參會觀眾覆蓋了70多個國家和地區，累計2.9萬余人到現場參會，集齊跨地區、跨領域的智慧合力，共同召喚產業發展新生態。無論是行業龍頭企業、初創團隊或是行業服務機構，論壇都是十分精準的品牌展示、產品推廣、技術交流、成果發布及尋求合作的優質平臺和窗口。十幾年來，論壇服務過的客戶遍及全球，涵蓋了大部分國內外知名的半導體材料、裝備、器件及應用端企業，數量近千家，服務次數超過1200次。通過論壇期間的交流與對接，很多企業結識了潛在的合作伙伴，為自身發展把握住了機會。更多詳情見附件：

會議時間：2023年2月7日-10日（7日報到）

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店

日程安排

注冊權益收費表

備注：

＊中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。

＊學生參會需提交相關證件。

＊會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。

＊IFWS相關會議包括：開幕大會，碳化硅襯底材料生長與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長與外延技術,氮化鎵功率電子材料與器件,固態紫外材料與器件,化合物半導體激光器技術,Mini/Micro LED及其他新型顯示技術,射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導體材料與器件，閉幕大會。

＊SSLCHINA相關會議包括：開幕大會，氮化物襯底材料生長與外延技術，固態紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術，生物農業光照技術，教育照明與健康光環境，光醫療應用技術，化合物半導體激光器技術,閉幕大會。

*產業峰會包括：生物農業光照技術與產業應用峰會、車用半導體創新合作峰會、功率模塊與電源應用峰會、第三代半導體標準與檢測研討會、UV LED創新應用、Mini/Micro-LED技術產業應用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續費。

＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。

論壇線上注冊平臺

IFWS&SSLCHINA 在線注冊通道

*備注：請微信掃碼查看并注冊，注冊成功后可在個人中心查看電子票信息、申請發票、為他人報名、分享海報等等。

2023年2月1日之前，完成注冊繳費即可享受折扣票（詳見上圖），中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）或第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優惠。學生參會需提交相關證件。會議現場報到注冊不享受各種優惠政策。

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