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IFWS&SSLCHINA2023│華為數字能源技術有限公司CTO黃伯寧:從新型電力系統的發展看電力電子技術的挑戰

發表于:2023-11-29 來源:半導體產業網 編輯:

?在現代化科技和能源管理理念支持下建立的全新電力系統,包括智能電網、新能源發電技術、電動車充電技術等方面的創新。與傳統電力系統相比,新型電力系統具有高效能源利用、安全可靠、環境友好、能夠有效節約電力資源、減少成本、提高效率,從而為社會帶來更多的經濟效益等優勢。新型電力系統的發展也對電力電子技術提出了新的發展要求和挑戰。

2023年11月28日,第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)于廈門國際會議中心盛大開幕。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)主辦,廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

黃伯寧1

開幕大會上,華為數字能源技術有限公司CTO黃伯寧帶來了《從新型電力系統的發展看電力電子技術的挑戰》的主題報告。工業革命伴隨著能源革命,綠色低碳智能世界加速到來,碳中和引發能源生產和消費革命,同時帶來各行各業升級換代的機會。構建以新能源為主體的新型電力系統,功率器件是核心之一。從過去的多晶到單晶,現在的p到n以及未來的疊層,材料技術創新持續推動光電效率提升。鈣鈦礦材料成為潛力新星,疊加晶硅理論效率40%+,穩定性,大面積工藝兩大產業化瓶頸仍待解決。SiC /GaN功率器件基于優異的材料&器件特性,廣泛應用到消費類和新能源領域。SiC為代表的化合物功率器件與綠色能源產業需求高度共振。

報告指出,高比例新能源的技術挑戰在于抗擾性弱,暫態電壓失穩,慣量缺失。新能源滲透率提高,電網強度下降,暫態穩定性問題更加凸顯。Grid Forming構網技術是解決新型電力系統穩定性的關鍵路徑。Grid Forming過載能力提升需求,或許是SiC 下個機會點。封裝技術面臨著更高溫度、更強散熱、更小雜感。SiC 材料側成本面臨著8寸成本收益需要長時間兌現,晶錠材料利用率低,短期內材料成本降幅很有挑戰。SiC 產品質量管控體系亟待提升,建立互信的應用端數據和生產端數據閉環。

GaN行業方面,快充市場大規模滲透,探索更多高價值應用場景機會。突破可靠性基礎上的大功率、高頻化技術演進,引入新結構。智能化&集成化助力GaN向高密、高可靠演進。中小功率分布式光伏,組件級電力電子趨勢,賦予GaN巨大前景空間。報告認為,IGBT/SiC/GaN功率器件行業,量的問題將緩解,下一階段重點是質的問題。

(備注:以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認,僅供參考?。?/p>

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