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IFWS 2023│高通量方法輔助篩選和預測半導體界面結構——以β-Ga2O3 /AlN 界面為例

發表于:2023-12-06 來源:半導體產業網 編輯:

 近日,第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)在廈門國際會議中心召開。期間,“超寬禁帶半導體技術分會“上,武漢大學馮嘉仁分享了“高通量方法輔助篩選和預測半導體界面結構——以β-Ga2O3 /AlN 界面為例”的主題報告。

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功率電子器件廣泛應用于電能傳輸變換各個環節,在各大電能相關領域應用廣泛。高性能功率電子器件可以降低電能傳輸變換過程中損耗,助力“雙碳”目標。氧化鎵是一種多變的半導體材料,它有六種不同的晶相,其中最穩定的是β相。β相氧化鎵可以通過熔融法生長出大尺寸的單晶襯底,這對于制作高性能的功率器件非常有利,其研究備受關注,也面臨著β-Ga2O3材料界面建模等挑戰。

報告以β-Ga2O3 /AlN 界面為例,分享了高通量方法輔助篩選和預測半導體界面結構的研究成果,涉及界面結構預測、界面篩選、界面批量生成、界面穩定性討論、能帶對齊等內容。研究開發了半導體界面結構高通量搜索軟件包(IPG),以Ga2O3 /AlN界面為例驗證軟件功能,從70862440個構型中,搜索出若干晶面的界面結構,電子結構、能帶對齊分析與實驗值吻合,IPG軟件包具有普適性(金屬/半導體界面、介質/半導體界面), 為電子器件的高效設計提供了理論支撐,加速材料設計。

(備注:以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認,僅供參考!)

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