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清純半導體、中電化合物入選2024年度寧波市優質產品推薦目錄!

發表于:2024-03-15 來源:半導體產業網 編輯:

?日前,寧波市經濟和信息化局正式公布《2024年度寧波市優質產品推薦目錄》。復旦大學寧波研究院培育企業——清純半導體(寧波)有限公司旗下“國產車規級SiC MOSFET產品”、中電化合物半導體有限公司旗下“6吋車規級SiC外延片”雙雙入選。據悉,列入寧波市優質產品推薦目錄的企業產品,可優先參與政府及國有投資項目建設,在市場拓展方面贏得先機。

為貫徹落實市委市政府關于經濟穩進提質有關文件精神,進一步支持全市優質產品推廣應用,助力企業穩生產、促銷售、提品質、拓市場,寧波市經濟和信息化局于近日組織開展了《2024年度寧波市優質產品推薦目錄》的編制工作。

經過企業自主申報,市、區(縣、市)兩級經信部門審核,本次共擇優確定260家企業800余種產品列入《2024年度寧波市優質產品推薦目錄》,復旦大學寧波研究院培育企業——清純半導體(寧波)有限公司旗下“國產車規級SiC MOSFET產品”和中電化合物半導體有限公司旗下“6吋車規級SiC外延片”成功上榜。

寧波市優質產品推薦目錄的評選,充分體現了創新產業化導向,入選企業在行業內技術領先、創新能力強,并且產品具有引導作用。優質產品推薦目錄將進一步助力企業提升創新“造血”能力,推動工業經濟從“總量主導”向“質量主導”轉變,以此引導企業實施質量發展戰略和品牌帶動戰略,引領質量效益提升,拓展市場,提高“寧波制造”優質產品的知名度和美譽度。復旦大學寧波研究院亦將持續推動培育企業重視自主創新、自主研發,努力以優質產品、先進技術搶占市場,進一步提升企業知名度與競爭力,真正實現高質量發展。

關于清純半導體

作為復旦大學寧波研究院在第三代半導體器件領域布局的龍頭引領性項目,清純半導體(寧波)有限公司致力成為國內領先的碳化硅功率器件供應商,是目前國內極少數能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達到國際一流水平、并且基于國內產線量產車規級SiC MOSFET的企業,相關產品已經在新能源發電、新能源汽車等領域得到廣泛應用。

2022年3月,清純半導體在復旦大學寧波研究院牽頭下正式落戶寧波前灣新區,并于新區建設公司總部及研發中心,從產品和技術端精準承接研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所的產業化任務,共同打造寧波“碳化硅谷”。

公司擁有由復旦大學特聘教授、復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所所長張清純領銜的國際一流研發團隊,具有領先的器件設計能力和制造工藝及穩定的產能保障,建設有完善的各類實驗室,通過了ISO9001體系認證。落地寧波以來,公司接連突破國產SiC功率器件設計及大規模制造瓶頸,取得多項業內矚目的成就——

1200V SiC MOSFET平臺技術成熟,多規格產品實現量產,并通過AEC-Q101車規級認證和960V-H3TRB可靠性驗證(國內唯一同時通過兩項測試的產品);推出了首款國內量產的15V驅動SiC MOSFET系列產品填補國內空白,各項性能指標均達到或超過國際同類產品;推出了國內最低導通電阻的1200V 14mΩ SiC MOSFET,通過Tier1廠商驗證,性能對標國際主流主驅芯片。

此外,在供應鏈方面,清純半導體已與積塔半導體、士蘭微電子等簽署了戰略合作協議;在市場推廣方面,公司實現了多家新能源頭部客戶的導入及上量,與多家新能源汽車的主驅芯片驗證進展順利;在銷售方面,公司成立至今已實現3倍以上的增長,并實現SiC MOSFET出貨達150萬顆。

未來,清純半導體將立志于服務國家“雙碳”戰略,加速實現碳化硅(SiC)芯片的國產替代及技術領先,努力成長為國際一流的功率半導體高科技企業,為國家第三代半導體戰略性新興產業發展貢獻蓬勃力量!

關于中電化合物

中電化合物半導體有限公司是由中國電子信息產業集團有限公司(央企)旗下華大半導體有限公司主導投資的浙江首家致力于開發、生產寬禁帶半導體材料的高科技企業,且于2019年獲得了復旦大學寧波研究院大生態創新基金的天使輪投資支持。

作為復旦大學寧波研究院在第三代半導體材料領域布局的龍頭引領性項目,中電化合物主要聚焦在大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研究、開發、生產和銷售,產品可廣泛用于電動汽車、新能源、柔性電網、工業裝備、家用消費電子設備等眾多領域。

成立四年多來,中電化合物實現從0到1、從1過億的突破,公司已建成包含碳化硅襯底、碳化硅外延和氮化鎵外延的現代化生產車間,面向國內外市場供應商業化4-8英寸SiC和GaN材料,產品通過了車規級的驗證,同時榮獲國家級高新技術企業、寧波市“專精特新”企業、寧波市企業技術研發中心、寧波市優質產品推薦目錄認定,在寬禁帶半導體領域快速發展與前行。

去年10月底,中電化合物順利完成客戶首批次8英寸SiC外延片產品的交付。8英寸相比6英寸面積增加78%,可較大幅度降低碳化硅器件成本,為進一步推進碳化硅材料的降本增效提供有力支持。技術指標上,8英寸SiC外延片厚度均勻性可實現≤3%、摻雜濃度均勻性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm?。8英寸外延產品的順利交付,標志著中電化合物的外延產品邁上一個新的臺階,可為行業提供更為領先的技術支持,推動碳化硅行業更加快速發展

目前,公司已經同多家下游廠商開展上下游合作,以便于滿足下游開發的用于諸如在電機逆變器、車載充電器、直流轉換器等商業化碳化硅功率器件的關鍵材料供應,預計2024年公司SiC外延片業務將在SiC功率器件市場進一步增長,持續為寧波市數字經濟創新提質“一號發展工程”提供有力支撐,為現代化濱海大都市建設注入強勁動能。

portant; overflow-wrap: break-word !important;">來源:portant; overflow-wrap: break-word !important;">復旦大學寧波研究院

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