?4月9日，2024九峰山論壇暨化合物半導體產業博覽會在武漢中國光谷科技會展中心開幕。海內外化合物半導體產業鏈的領軍企業齊聚一堂，9位國內外院士、300多名行業領軍人，以及800多家企業代表，近萬人參與，共話行業前沿論題及第三代半導體技術的應用與發展，共謀合物半導體產業高質量發展的春天。
2024九峰山論壇暨化合物半導體產業博覽會由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、九峰山實驗室共同主辦。連續兩屆在光谷舉辦的這一展會，已成為國內化合物半導體領域規模最大、規格最高的標桿性盛會。
強鏈延鏈 共建化合物半導體創新生態
2024年全球半導體產業逐步復蘇，進入穩步增長的發展態勢，全球半導體領域資源投入達到了近幾十年新的高峰，競爭趨于白熱化。中國的工業化和下一步高質量發展，新材料首當其沖，新材料是所有的高端領域發展的基礎和引導，是世界新型工業化在產業基礎能力提升的基盤技術。以第三代半導體為代表的化合物半導體在全球信息和人員發展中發揮著和將要發揮至關重要的作用，這是我國全球半導體產業格局一個重要突破口。
中國工程院院士、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任干勇在致辭時表示，以第三代半導體為代表的化合物半導體在全球信息和能源發展中發揮著至關重要的作用，是我國重構全球半導體產業競爭格局的重要突破口。當前我國化合物半導體產業鏈基本形成，有機會形成有國際競爭力的產業體系。
論壇現場，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲發布《第三代半導體產業發展報告（2023）》，從形勢政策、市場應用、生產供給、企業格局、技術進展等五大方面進行分析，并對超寬禁帶半導體材料、專用裝備、標準等相關進展進行總結。吳玲指出，2023年，伴隨半導體產業逐漸復蘇，以及電動汽車、新能源等應用市場的蓬勃發展，國內第三代半導體技術和產業取得顯著進步。展望2024年，隨著國內宏觀經濟整體復蘇預期增強，第三代半導體技術對新質生產力的支撐作用日益增強，產業發展動力持續強勁。
九峰山實驗室主任丁琪超發布九峰山實驗室2024研發服務體系。作為湖北省十大實驗室之一，以建設世界領先的化合物半導體研發和創新中心為愿景，成立3年來，九峰山實驗室已在中國光谷建立起先進的化合物半導體科研及中試平臺。丁琪超從材料流片服務能力和技術服務能力兩個方面對實驗室2024年研發服務體系進行了介紹。九峰山實驗室目前已搭建起完備的材料體系，以及包含7條工藝線的量產級研發流片平臺，同步提供材料、設備、EDA軟件的驗證服務。已具備以“異質集成”、“先進鍵合”、“化合物外延”、“集成微波無源器件（IPD）PDK”、“碳化硅（SiC）溝槽”、“PZT壓電MEMS”、“先進檢測分析”為代表的技術服務能力。“實驗室希望打造公共、開放、共享的平臺，與更多合作伙伴共同點亮化合物半導體平臺、技術、產業的‘燈塔’。”丁琪超表示。
開幕式上，12個項目集中簽約，總金額179億元。這些項目覆蓋芯片設計、制造、檢測、應用等多個環節，助力光谷加快打造化合物半導體產業高地，形成完整化合物半導體全產業鏈。
光谷因光而興、逐芯前行，一路芯光燦爛，獲批國家光電子信息產業基地，打造了獨樹一幟的光電子信息產業。在集成電路領域，光谷集聚了一批鏈主企業，形成了以存儲器為核心、化合物半導體突破性發展的產業格局。“一核三區，雙軸交匯”的九峰山科技園加快建設，長飛先進、先導稀材等百億級項目相繼啟動建設，化合物半導體產業從點上開花走向鏈上成景。
如何搶抓化合物半導體產業發展機遇，讓這束光在創新中更加閃耀？7個月前，湖北省政府印發《加快“世界光谷”建設行動計劃》，提出加快布局氧化鎵、碳化硅等新一代半導體，推動創新鏈與產業鏈協同發展，打造全球化合物半導體創新中心。眼下，光谷正瞄準化合物半導體新賽道，搶抓化合物半導體產業發展新機遇，鍛造“硬核”創新力提升產業競爭力，助力“中國光谷”加速邁向“世界光谷”。
聚勢賦能 推動化合物半導體產業加速崛起
開幕大會主旨報告環節，由中國工程院院士、華中科技大學尤政，中國科學院院士、武漢大學劉勝領銜，與EV Group首席鍵合科學家Viorel Dragoi，英特爾實驗室資深首席科學家榮海生，芯聯集成電路制造股份有限公司執行副總裁劉煊杰，華為數字能源技術有限公司首席科學家黃伯寧，云南鍺業公司首席科學家惠峰，NI公司副總裁Frank Heidemann，株洲中車時代電氣股份有限公司中車科學家劉國友，武漢華工科技產業股份有限公司副總裁熊文、九峰山實驗室領域首席科學家閆春輝等科研界、產業界代表聯袂帶來精彩報告，從產業、技術、趨勢等不同角度全面探討化合物半導體發展創新前沿大勢。北京大學理學部副主任沈波教授與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長楊富華,華中科技大學集成電路學院院長、教授繆向水共同主持了該環節。
化合物半導體產業發展正當時，隨著智能數字化時代的快速發展，正在深層次帶來社會、經濟、技術等多個領域的偉大變革。人工智能、數據安全、6G、專網通信、車聯網、電力系統等領域市場需求增長有望進一步刺激化合物半導體材料的市場規模增長。新的時代背景對化合物半導體產業全產業鏈帶來全方位、變革性的機遇與挑戰。11大主旨報告從系統、材料、技術、平臺，標準、應用等角度出發，涉及智能系統技術，晶圓鍵合技術、硅光平臺，鍺、砷化鎵、磷化銦半導體材料，大功率半導體技術，全彩集成氮化物Micro LED顯示技術、光電子等，兼顧前瞻與務實，前沿與應用，深入解讀產業鏈國內外最新進展、趨勢，變革、挑戰與機遇。
智能微系統具有尖端科技深度交叉融合，高集成度、高性能等特點。中國工程院院士、華中科技大學校長尤政做了“微系統，大作為”的主旨報告，分享了智能微系統技術的最新進展，指出MEMS、光電子，3D異質/異構集成技術是智能微系統的核心要素，并表示智能微系統是一種新質生產力的使能技術，可以催生大批升級換代甚至變革行業的新概念產品，為相關傳統產業跨越式發展提供新機遇。
中國科學院院士、武漢大學教授劉勝帶來了《DFX：基于數字孿生技術電力電子芯片和封裝的設計與制造》的主旨報告，介紹了相關最新進展，并指出數字孿生技術與DFX工程方法的結合，能幫助芯片及封裝企業快速產品迭代，實現極致可靠的產品目標。
在材料集成中，晶圓鍵合技術有著重要的應用，特別是在半導體器件、MEMS（微電子機械系統）和光電子器件等領域。EV Group首席鍵合科學家Viorel DRAGOI帶來了《用于材料集成的晶圓鍵合技術》的主旨報告，并指出等離子體激活鍵合和室溫共價鍵合兩種工藝類別對于化合物半導體鍵合以及將化合物半導體集成到Si技術中用于光子應用都非常有前途。
英特爾研究院資深首席工程師榮海生做了“異質集成III-V/Si激光器和放大器的硅光平臺”的主題報告，指出異質集成使不同的光子功能完全集成在硅光子平臺上，具有高可靠性和可制造性。集成激光器和放大器的硅光子學在光通信和光互連等領域有著廣泛的應用。
新能源汽車向電動化、智能化發展，電動化正迎來新一代技術突破。SiC從根源上提高電驅功率轉化效率，實現整車效率飛躍。芯聯集成電路制造股份有限公司執行副總裁劉煊杰分享了碳化硅的機遇與挑戰，指出SiC特性使800V超充成為可能，滿足特定應用場景需求。中國SiC產業有望實現換道超車。
功率半導體在新型電力系統中具有重要意義，華為數字能源技術有限公司首席科學家黃伯寧帶來了”新型電力系統對功率半導體的挑戰“的主題報告，并指出碳中和引發能源生產和消費革命，同時帶來各行各業升級換代機會，SiC為代表的化合物功率器件與綠色能源產業需求高度共振。
鍺、砷化鎵、磷化銦半導體材料在半導體器件中具有重要作用，它們的特性和應用領域有所不同，但都對半導體器件的性能和功能起著關鍵作用。云南鍺業公司首席科學家惠峰分享了鍺、砷化鎵、磷化銦半導體材料現狀及發展，指出砷化鎵和磷化銦的光模塊和射頻器件是目前發展的熱點。磷化銦、砷化鎵襯底大直徑低位錯關鍵技術突破進程加快，高品質、高均勻性性、低缺陷襯底需求劇增。
National Instruments (NI) 全球副總裁，技術負責人Frank HEIDEMANN分享了“汽車行業的可靠性-可靠性標準以及AQG 324對半導體鑒定的意義”的主題報告，指出汽車行業需要一個通用的、可接受的、精確的、針對特定應用的可靠性標準，AQGs工作組正在與全球標準化機構進行長期和深入的交流，以使行業具有最大的價值。
功率半導體是電能轉換與控制的核心芯片，是支撐交通與能源領域“雙碳”戰略的基礎。株洲中車時代電氣股份有限公司中車科學家劉國友介紹了“大功率半導體技術進展與挑戰”，分享了最新技術進展，挑戰涉及材料長晶與缺陷控制、芯片異質外延、模塊混合封裝等。
隨著大模型訓練走向深入，AI落地到應用場景正在爆發式發展。華工科技產業股份有限公司黨委委員、副總裁熊文分享了“化合物半導體的全球格局下，中國光電子企業的機遇與探索”的主題報告，AI需要的連接必須高速，低能耗，低延時。基于InP/GaAs化合物半導體的高速光芯片是高速連接的引擎。高速數通光模塊的迭代與數據中心架構升級相輔相成。流量數據的高速增長，不斷推動數據中心架構升級。數據中心內外部互連正在向400G快速升級，800G已成為全新需求，應用在超大規模數據中心、云計算及人工智能算力中心中。1.6T光模塊在2024年進入公眾視野，3.2T也在悄然醞釀之中。
全彩集成氮化物Micro LED顯示技術在智能手機、電視、電腦顯示器、可穿戴設備等領域具有廣闊的應用前景。九峰山實驗室領域首席科學家閆春輝做了“全彩集成氮化物Micro LED顯示技術的挑戰與進展”的主題報告，并表示Micro-LED顯示是未來半導體顯示的關鍵基礎平臺技術，Mini/Micro-LED 有望成為”下一代顯示技術”核心方向之一。是顯示產業升級和經濟增長的重要機遇。
論壇與博覽會強強聯動 傳遞產業發展新氣象
本屆九峰山論壇與博覽會為期四天，其中JFSC論壇，采取“1主+8專+多場行業專題會”模式，除了重量級開幕大會，圍繞化合物半導體關鍵材料、化合物半導體核心裝備、EDA工具與生態鏈、光電子技術、功率電子技術、無線電子技術、先進半導體檢測技術與標準、化合物半導體投融資趨勢等重點方向，設置平行論壇，全面覆蓋產業發展前沿熱點，專題聚焦，深入探討產業鏈關鍵環節相關重點技術發展進展與前沿趨勢，傳遞最新技術發展信息，尋找新的動力源泉，促進產業鏈不同環節協同創新。
論壇在首屆的基礎上提檔升級，增設了展會環節。在化合物半導體產業博覽會現場，超萬平展會面積吸引了來自10多個國家的200多家企業參展，覆蓋半導體材料、設備、檢測、設計、制造及封測、終端應用等全產業鏈及科研機構與孵化機構平臺。其中，多家國際頂級展商是首次亮相中國展會。據悉，眾多國際龍頭企業齊聚中國展示最新技術與產品，這在全球化合物半導體領域內還是首次。
三大主題展區，六大領域，邀請到龍頭企業領銜的眾多企業參展，集中展示各鏈條關鍵環節的新技術、新產品、新服務，為產業鏈的升階發展搭建供需精準對接平臺，打造化合物半導體領域的標桿性展會，傳遞世界化合物半導體產業發展新氣象。
同時，論壇與博覽會期間，還設置了交流晚宴、商務考察等線上線下豐富的活動形式，助力對接資源，洽談合作，價值共創。