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2024年11月18-21日，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、第六屆先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2024）將在蘇州國(guó)際博覽中心G館舉辦。目前，論壇正有序推進(jìn)中，征文已超200篇，最新一批60+嘉賓報(bào)告公布。

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦。朗明納斯將出席此次盛會(huì)，誠(chéng)摯邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，參觀交流、洽談合作。

11月18-21日，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦日本理化研究所平山量子光素子研究室主任平山秀樹(shù)將出席論壇，并帶來(lái)“用于病毒滅活的藍(lán)寶石生長(zhǎng)230nm遠(yuǎn)紫外光功率模組的開(kāi)發(fā)研究”的大會(huì)報(bào)告。

11月18-21日，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦。瑞典皇家科學(xué)院院士、瑞典皇家工程院院士、隆德大學(xué)教授Lars Samuelson將出席論壇，并將帶來(lái)“實(shí)現(xiàn)超小型全氮化物Micro-LED的納米級(jí)材料科學(xué)技術(shù)”的大會(huì)報(bào)告。

據(jù)方正微電子官微消息，10月16日，深圳方正微電子有限公司副總裁/產(chǎn)品總經(jīng)理彭建華在發(fā)言中提到，方正微電子作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)

近日從山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)獲悉，山西省大力實(shí)施的全產(chǎn)業(yè)鏈培育工程第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈強(qiáng)鏈工程之一山西華芯半導(dǎo)體晶體材料產(chǎn)業(yè)基

順義區(qū)融媒體中心消息 順義科創(chuàng)集團(tuán)穩(wěn)步推進(jìn)市、區(qū)兩級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）建設(shè)，目前，項(xiàng)目

9月14日，水土保持網(wǎng)披露了長(zhǎng)城無(wú)錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司（下文簡(jiǎn)稱芯動(dòng)半導(dǎo)體）水土保持設(shè)施驗(yàn)收鑒定書(shū)。文件顯示，芯動(dòng)半導(dǎo)

中電四公司成功中標(biāo)北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司“第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目（1#生產(chǎn)廠房等12項(xiàng)）”，中標(biāo)金額：1159022898.60元。

國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)——天科合達(dá)摘得北方芯谷新建區(qū)第一塊工業(yè)用地，將投資5.2億元建設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目，標(biāo)志著北方芯谷新建區(qū)建設(shè)全面啟動(dòng)。

近日，北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局發(fā)布了北京市第六批專精特新小巨人企業(yè)和第三批專精特新小巨人復(fù)核通過(guò)企業(yè)名單。順義區(qū)第三代半導(dǎo)體

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國(guó)在該領(lǐng)域的首次突破。

導(dǎo)體項(xiàng)目、安力科技第三代半導(dǎo)體及大硅片襯底研磨液項(xiàng)目、全芯微電子半導(dǎo)體高端設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目、遼寧恩微芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目、雅克科技球形硅微粉、球形氧化鋁項(xiàng)目，日本航空電子高端電子元器件項(xiàng)目、露笑科技第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目和大尺寸碳化硅襯底片研發(fā)中心項(xiàng)目迎來(lái)新進(jìn)展。

安力科技（蘇州）有限公司落成儀式在保稅區(qū)泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園舉行。

萬(wàn)業(yè)企業(yè)與國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心簽署戰(zhàn)略協(xié)議

第三代半導(dǎo)體在供應(yīng)鏈及應(yīng)用端已逐漸成熟，市場(chǎng)何時(shí)會(huì)引爆？

2024年8月8日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過(guò)1項(xiàng)GaN HEM

2024年8月8日，按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票通過(guò)2項(xiàng)SiC MOS

據(jù)報(bào)道，7月30日，香港科技園公司與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司簽署合作協(xié)議，將于香港科學(xué)園內(nèi)設(shè)立全香港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化

近日，西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授課題組李祥東團(tuán)隊(duì)在藍(lán)寶石基增強(qiáng)型e-GaN（氮化鎵）