國家知識產權局信息顯示，英飛凌科技股份有限公司申請一項名為功率半導體模塊裝置及其制作方法的專利，公開號CN 119495574 A，申
國家知識產權局信息顯示，北京北方華創微電子裝備有限公司申請一項名為工藝腔室及半導體工藝設備的專利，公開號 CN 119495543 A
國家知識產權局信息顯示，長飛先進半導體（武漢）有限公司申請一項名為功率器件及制備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛的專利
2月26-28日，”2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。國家新能源汽車技術創新中心總師、先進電驅動業務單元負責人劉朝輝受邀將出席論壇，并帶來《碳化硅芯片先進封裝和熱管理關鍵技術》的主題報告，敬請關注！
2月17日，習近平總書記出席民營企業座談會并發表重要講話，充分肯定民營經濟發展取得的重大成就和為國家經濟社會發展作出的重要
工業和信息化部、國家發展改革委等八部門近日聯合印發《新型儲能制造業高質量發展行動方案》，以加速完善產業體系，培育3—5家生態主導型企業，顯著增強產品性能，持續拓展應用領域，培育發展新動能為目標，引導新型儲能制造業高端化、智能化、綠色化發展。
國家知識產權局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司取得一項名為一種半導體激光器封裝模組的專利，授權公告號 CN 222441099 U，申
2月26-28日，”2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶融創施柏閣酒店舉辦。國家自然科學基金委員會高技術研究發展中心，原技術總師史冬梅受邀將出席論壇，并帶來《氧化鎵和金剛石超寬禁帶半導體技術發展態勢》的主題報告，敬請關注！
河北同光半導體股份有限公司國家企業技術中心揭牌暨年產20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動儀式
為落實國家人工智能+戰略行動，推動我市人工智能+新材料創新發展，北京市科學技術委員會、中關村科技園區管理委員會，北京市發展
北京大學物理學院凝聚態物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延薄膜中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展。
國家知識產權局信息顯示，上海積塔半導體有限公司取得一項名為一種晶圓承載裝置及應用其的半導體工藝設備的專利，授權公告號 CN
近日，半導體照明聯合創新國家重點實驗室官網正式官宣寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室重組獲批，但目前官網頁面的
國家知識產權局信息顯示，杭州士蘭微電子股份有限公司取得一項名為半導體器件、半導體器件的元胞結構及掩模板的專利，授權公告號
重磅！國家杰青優青項目更名
近日，江蘇印發《關于支持南京江北新區高質量建設的意見》（以下簡稱：《意見》），以貫徹落實國家關于促進國家級新區高質量建設
以國家安全為由禁止進口某些涉及車聯網的中國軟件和硬件，這實際上禁止了中國進口乘用車。
北京集創北方科技股份有限公司（集創北方）與國家新能源汽車技術創新中心（國創中心）在北京簽訂了戰略合作協議。
對北京市認定機構2024年認定報備的第三批集成電路等領域政策試點高新技術企業備案的公告根據《高新技術企業認定管理辦法》（國科
韓國政府已提前啟動龍仁半導體國家工業園區的建設，該項目預計將于 2026 年 12 月開工