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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司申請一項(xiàng)名為大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置的專利，公開號CN 118756340

10月17日，東湖高新區(qū)舉辦新聞發(fā)布會，正式發(fā)布《促進(jìn)未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展實(shí)施方案》。《方案》立足國家定位特殊、武漢科教特長、光谷產(chǎn)

工業(yè)和信息化部、國家發(fā)展改革委近日聯(lián)合印發(fā)《新材料中試平臺建設(shè)指南（2024—2027年）》

10月13日，由山東省科技廳指導(dǎo)，山東省創(chuàng)新發(fā)展研究院(以下簡稱省創(chuàng)發(fā)院)和國家信息通信國際創(chuàng)新園服務(wù)中心共同主辦的山東集成電

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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，格蘭菲智能科技股份有限公司申請一項(xiàng)名為功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法的專利，公開號 CN 118748202

“智慧健康照明技術(shù)及應(yīng)用”主題分會上，來自南昌大學(xué)國家硅基LED工程技術(shù)研究中心（南昌實(shí)驗(yàn)室）、朗德萬斯、江西省應(yīng)用光學(xué)技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、金鑒實(shí)驗(yàn)室、勤上光電、升譜光電、同方股份等實(shí)力派代表性企業(yè)機(jī)構(gòu)的嘉賓們帶來精彩報(bào)告

近日，北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局發(fā)布了北京市第六批專精特新小巨人企業(yè)和第三批專精特新小巨人復(fù)核通過企業(yè)名單。順義區(qū)第三代半導(dǎo)體

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。

武進(jìn)國家高新區(qū)—常州大學(xué)化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新聯(lián)合體正式簽約揭牌

萬業(yè)企業(yè)與國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心簽署戰(zhàn)略協(xié)議

2024年6月24日，全國科技大會、國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會、兩院院士大會在京召開，黨和國家領(lǐng)導(dǎo)人出席大會并為獲獎代表頒獎。據(jù)悉，2

國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心與長城汽車股份有限公司共同揭牌成立“車規(guī)級芯片聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”

新華社北京5月30日電 國務(wù)院總理李強(qiáng)日前簽署國務(wù)院令，公布《國務(wù)院關(guān)于修改〈國家科學(xué)技術(shù)獎勵條例〉的決定》(以下簡稱《決定

4月16日，國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃單片集成GaN基可調(diào)控Micro-LED發(fā)光器件研究項(xiàng)目啟動暨實(shí)施方案論證會在濟(jì)南召開。山東大學(xué)副校長蘆延

晶能微電子項(xiàng)目：廠房建設(shè)按下快進(jìn)鍵昨天上午，走進(jìn)位于嘉興國家高新區(qū)（高照街道）唯勝路與八字路段的晶能微電子項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場，

據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，北京大學(xué)取得一項(xiàng)名為一種AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，授權(quán)公告號CN114373837B，申請

3月26日，2024臨港科創(chuàng)大會在上海臨港（600848）中心隆重召開。在市委市政府、臨港管委會各位領(lǐng)導(dǎo)的見證下，長三角國家技術(shù)創(chuàng)新

據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，清華大學(xué)申請一項(xiàng)名為半導(dǎo)體裝置的制備方法、半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備，公開號CN117766402A，申請日期為2023