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在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）結(jié)溫高精度測試方面實現(xiàn)新進(jìn)展，該研究提出的多波長激光瞬態(tài)熱反射（MWL-TTR）技術(shù)，成功實現(xiàn)亞微米級空間分辨、納秒級時間分辨的溝道溫度精準(zhǔn)監(jiān)測。

北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學(xué)中心楊學(xué)林、沈波團(tuán)隊在氮化鎵外延薄膜中位錯的原子級攀移動力學(xué)研究上取得重要進(jìn)展。

官員們正在確定哪些設(shè)備需要獲得出口至中國的許可。

英諾賽科作為全球第三代半導(dǎo)體氮化鎵的領(lǐng)導(dǎo)者針對數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，開發(fā)了多系列分立和集成氮化鎵產(chǎn)品，能夠最大限度提升效率，減少能源浪費。

今天上午9時30分隨著鐘聲敲響從吳江走出的全球氮化鎵龍頭英諾賽科成功登陸港交所成為港股第三代半導(dǎo)體第一股12月30日，英諾賽科

中國氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動招股，并將于2024年12月23日結(jié)束招股。

“氮化鎵功率電子器件技術(shù)III”的分會上，嘉賓們齊聚，共同探討氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢。

“氮化鎵功率電子器件技術(shù)II”分會上，嘉賓們帶來精彩報告，共同探討氮化鎵功率電子器件技術(shù)發(fā)展。

據(jù)先導(dǎo)科技集團(tuán)官微消息，日前，由先導(dǎo)科技集團(tuán)旗下先導(dǎo)光電子事業(yè)部牽頭的安徽省科技創(chuàng)新攻堅計劃-氮化鎵藍(lán)光裝備的全鏈條國產(chǎn)

”氮化鎵功率電子器件技術(shù) I“分會上，嘉賓們齊聚一堂，共同探討氮化鎵功率電子器件技術(shù)發(fā)展。

清華大學(xué)羅毅院士課題組與安徽格恩半導(dǎo)體有限公司合作，通過深入研究GaN同質(zhì)外延過程中的位錯控制、InGan/GaN多量子阱的應(yīng)力調(diào)控以及腔面鍍膜技術(shù)，制備了高效的GaN藍(lán)光激光二極管。

北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學(xué)中心王新強(qiáng)教授與北京大學(xué)電子顯微鏡實驗室王濤高級工程師探測到褶皺二維氮化鎵（GaN）的聲子行為。

11月28日，中國證監(jiān)會國際合作司發(fā)布關(guān)于英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司境外發(fā)行上市備案通知書

“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會”上，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心FLAB三代特色半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新的新模式，包括硬件建設(shè)、軟件建設(shè)、開發(fā)體系、技術(shù)路線等。

“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”技術(shù)分會上，香港科技大學(xué)高通光學(xué)實驗室主任、教授、高武半導(dǎo)體（香港）有限公司創(chuàng)始人俞捷，小米通訊技術(shù)有限公司高級硬件研發(fā)工程師孫躍，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰，西安電子科技大學(xué)教授薛軍帥，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)張新川，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學(xué)集成電路學(xué)院博士劉濤，中國科學(xué)院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告

氮化鎵功率電子器件技術(shù)分會日程出爐，本屆分會將分為三個場次充分探討，敬請關(guān)注！

納微半導(dǎo)體今日發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計，實現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。

作為IFWS的重要技術(shù)分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會最新報告日程正式出爐！

作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學(xué)高通光學(xué)實驗室、高武半導(dǎo)體，小米通訊技術(shù)，匯芯通信/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、云塔電子，能訊高能半導(dǎo)體，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，九峰山實驗室，江南大學(xué)，中國科學(xué)院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。

德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠